陸DRAM產能將激增31%！韓媒警告超級周期「只剩2至3年」 馬斯克把期限再往前推一年

特斯拉執行長馬斯克上周四(15日)稱中國到2028年將生產海量記憶體晶片，引發半導體界對記憶體「超級周期」可能提前見頂的討論。市場關注長鑫存儲產能爬坡，會否在2028年與AI資本支出放緩疊加，反手壓垮DRAM價格。

自10月11日起，馬斯克接連發文稱RAM短缺是AI瓶頸；12日指中國掌握技術後能大幅擴產；隔日又點名美光價格「合理」，但三星、SK海力士報價「高得離譜」。

蘋果硬體工程高級副總裁特納斯也表示，記憶體供應受限是「絕對危機」，正「考慮所有方案」，市場解讀包含評估採用長鑫DRAM。

目前，長鑫DRAM月產能約20至25萬片，年底破30萬片。上海臨港新廠今年Q4動工，合肥、北京新線接續擴充，預估2028年月產能達50萬片，遠期目標60萬片，全球份額升至17%，躋身全球第三，對比三星約70萬片、SK海力士約60萬片。長鑫打算年底推出4F²架構伺服器級DDR5，HBM3E進入小批量。

NAND方面，長江存儲今年Q2全球NAND位元出貨市占率達14%，超越鎧俠居第三。技術代差上，DRAM中韓差距3至5年，NAND已減少至約1年。

本輪漲價邏輯是AI伺服器吞噬DRAM，三大廠轉產HBM與伺服器DDR5，消費級出現缺口。瑞銀預估，DRAM緊俏延至2028上半年；但摩根大通提醒，美國雲巨頭AI資本支出增速將從2026年約100%降至2028年7%。

南韓成均館大學教授權錫俊則指出，決定韓廠營收的關鍵是雲端巨頭能否維持AI投資節奏。

短期來看，2026至2027年AI需求仍吸收中國新增產能，韓廠高溢價暫不受影響，但2028年是分水嶺。若長鑫50萬片落地，中低階DRAM定價權將鬆動，高端HBM、專利壁壘仍是韓美護城河。馬斯克發言表面是買家喊降價，實則點破：當供給端不再只有三家，靠產能緊縮維持的超額利潤窗口剩不到兩年。