SK海力士加碼中國NAND布局 美國新廠計畫成談判籌碼？

《路透社》上週三引述知情人士報導，南韓 SK 海力士(SK Hynix)(SKHY-US)正向美國政府尋求批准，希望能向中國出口美國製造的晶片生產設備，以提高當地產量，並將此作為在美國興建工廠的條件。

川普政府正施壓 SK 海力士、三星及其他外國晶片製造商，要求它們在美國設廠，以重建美國製造業產能並創造就業機會。

在全球記憶體晶片短缺、推升價格之際，SK 海力士旗下美國子公司 Solidigm 希望在中國大連的 SK 海力士廠區內，利用尚未使用的空間安裝新設備，以生產 NAND 晶片。

NAND 快閃記憶體用於安裝在資料中心的固態硬碟（SSD），這些資料中心支援人工智慧（AI）與雲端運算。

大連 NAND 廠使用來自主要美國半導體設備製造商的設備，包括科林研發(Lam Research)(LRCX-US)、應用材料（Applied Materials)(AMAT-US) 及KLA(KLAC-US)。

Solidigm 正尋求美國出口許可，以在大連增添設備，並將其在美國興建新 NAND 工廠的計畫與中國廠區連結。

SK 海力士在給《路透社》的聲明中表示，「Mod B 的設備安裝工作，正與美國政府密切協商，並在其授權下進行。」

該公司表示：「我們並未尋求擴大於 2023 年完工的大連 Mod B 產能。」

美國一直限制向中國出口晶片製造設備，試圖減緩北京發展用於 AI 與軍事用途的尖端半導體。華盛頓認為，這些技術對國家安全至關重要。

《路透社》上個月曾報導，Solidigm 正考慮在美國興建 NAND 快閃記憶體晶片工廠。半導體製造廠在業界稱為晶圓廠（fab），興建一座晶圓廠需要數年時間，並投入數十億美元。

其中一名知情人士表示，在中國提高產量將有助於 Solidigm 籌措資金，興建美國 NAND 工廠，並為未來擴大美國本土生產提供過渡。

另一名消息人士表示，Solidigm 也在評估最快於明年進行IPO，藉此籌集資金，協助為美國工廠提供融資。

中國大連廠區

TechInsights 記憶體產業專家 Walt Coon 表示，幾年前 NAND 市場經歷低迷後，如今已蓬勃發展，且預計未來幾年仍將維持供應緊張。

他指出，自 2023 年年中以來，NAND 價格已上漲七倍。

去年，美國商務部撤銷了先前授予 SK 海力士與三星的授權。這些授權原本讓兩家公司在中國晶圓廠使用美國設備時，無須另外申請許可。美國商務部將這些授權稱為「拜登時代的漏洞」。

美國商務部隨後表示，將核發出口許可，允許兩家公司繼續營運在中國的既有晶圓廠，但預期不會批准用於擴充產能或升級技術的設備許可。

去年 12 月，商務部核發了 SK 海力士大連廠區的 2026 年度許可，但對可取得的設備數量設下限制。

一名消息人士表示，SK 海力士的大連廠區內設有一處名為 Mod B 的晶圓廠空間，於 2023 年建成。由於當時記憶體市場低迷，設備建置工作並未完成。

其中兩名消息人士表示，Mod B 內已有部分晶片製造設備，但仍有大量空間可供增設設備。

一名知情人士表示，美國商務部尚未核發 2027 年度的許可，允許在該廠區使用更多美國製造的設備與技術。該人士並指出，Solidigm 也已申請出口許可，希望為 Mod B 購買額外設備。

《路透社》上個月曾報導，SK 海力士另行與英特爾(INTC-US)洽談，考慮租用英特爾位於俄亥俄州、規劃已久的晶片製造設施部分空間。

SK 海力士是全球 NAND 快閃記憶體供應商中的第二大業者，排名僅次於三星電子。該公司也已在印第安納州動工興建一座先進封裝工廠，專門生產高頻寬記憶體（HBM）。

根據 Counterpoint Research，中國 NAND 快閃記憶體製造商長江存儲於 2026 年第二季升至全球第三名。