台積電CoWoS委外版圖擴大格羅方德切入矽中介層,台積電美國產能2028年後加速開出
優分析 Uanalyze

2026年10月12日(優分析/產業數據中心報導)⸺ 隨著AI晶片封裝技術日益複雜,先進封裝逐漸納入更多前段晶圓製造工序,讓成熟製程晶圓代工廠也開始分享AI商機。台積電(2330-TW)正擴大矽中介層(Silicon Interposer)委外製造布局,除了世界先進(5347-TW),美國格羅方德GlobalFoundries(GFS-US)近日也取得價值20億美元、為期5年的製造協議,預計2028年上半年開始量產。
矽中介層是CoWoS先進封裝的重要元件,負責連接AI處理器與高頻寬記憶體(HBM),涉及曝光、蝕刻、薄膜沉積及矽穿孔等晶圓製造技術。隨著先進封裝與前段製程的技術界線逐漸模糊,除了封裝測試廠迎來技術升級需求,具備特殊製程能力的成熟製程廠,也有機會承接更多先進封裝相關訂單。
其中,台積電已將部分矽中介層委由世界先進生產。世界先進與恩智浦NXP(NXPI-US)合資的新加坡12吋晶圓廠VSMC,也將矽中介層納入產品布局,預計2027年第一季量產,2029年滿載月產能規劃達4.4萬片。不過,目前尚未確認台積電委外訂單是否由VSMC承接。
另一個值得關注的趨勢,是美國先進封裝產能將在2028年後加速開出。
格羅方德規劃2028年上半年在紐約州Malta廠量產矽中介層,封測大廠艾克爾Amkor Technology(AMKR-US)也正在亞利桑那州興建先進封裝與測試園區,投資規模達120億美元,第一期預計2028年開始生產。台積電先前已與Amkor簽署為期10年的先進封裝合作協議。
從各家業者的量產時程來看,2028年將是台積電美國先進封裝供應鏈擴產的重要起點,相關產能可望在2028年下半年至2029年逐步放大。配合台積電亞利桑那州既有4奈米產能,以及預計2027年下半年量產的3奈米晶圓廠,美國將逐漸具備從先進晶圓製造到封裝測試的在地生產能力,減少晶圓往返台灣封裝的時間。
至於台積電自有的亞利桑那先進封裝廠,目前仍以2029年前建立相關產能為目標,後續是否提前展開設備驗證與試產,也成為市場關注焦點。
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