記憶體缺瘋了！三星、SK海力士將漲價30% 客戶開始大囤貨

韓國經濟日報報導，包括三星電子和 SK 海力士在內的主要記憶體供應商，已通知客戶將於今年第四季度持續調漲報價。受 AI 驅動需求激增影響，DRAM 和 NAND 快閃記憶體等儲存產品價格漲幅預計將高達 30%，整體漲勢超乎市場預期。

受惠於全球人工智慧（AI）算力需求的爆發性成長，記憶體晶片產業正加速邁入一輪前所未有的「超級週期」，且預計將比以往更加持久。

此輪漲價趨勢在產業報告中獲得印證。根據花旗和摩根士丹利的分析預測，第四季 DRAM 平均售價預計將季增 25% 至 26%，顯示漲價熱潮正在顯著加劇。

記憶體供應趨緊的根本原因，再逾 AI 與高效能運算（HPC）需求的井噴。其中，高頻寬記憶體（HBM）成為推動價格上漲的關鍵力量，因其消耗的晶圓容量是標準 DRAM 的三倍多。

據預計，包括 Google(GOOGL-US) 、亞馬遜 (AMZN-US) 、Meta(META-US) 、微軟 (MSFT-US) 在內的科技巨頭，今年對 AI 基礎設施的預計投入將高達 4,000 億美元，進一步確立了需求剛性。

囤貨與長期合約成主流

面對供貨持續吃緊的預判，市場已出現明顯的囤貨行為。據報導，幾家領先的國際電子和伺服器公司正積極與供應商洽談簽訂 2 至 3 年的長期供應協議，這打破了以往按季度或年度簽訂合約的傳統慣例。

全球第二大記憶體模組廠威剛 (3260-TW) 董事長陳立白判斷，第四季僅是儲存嚴重缺貨的起點，明年供貨將持續吃緊。

供應商的經營策略重心也隨之轉移。國內外廠商紛紛優先佈局 HBM 相關的先進封測領域，例如三星正加緊推動 HBM4 的研發和量產。

展望未來，產業機構普遍看好這波由 AI 帶動的儲存大週期將持續到第四季，主要受惠於 AI 需求的旺盛及海外原廠產能的限制。

從產品獲利能力來看，TrendForce 預測 2025 年 HBM 的平均銷售單價將較去年同期上漲 20.8%。此外，隨著人工智慧投資從大容量資料訓練轉向推理，非 HBM 記憶體晶片的需求成長也將加速，有分析師預計其盈利能力甚至可能在明年超越 HBM 產品。