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在 HBM3E 價格持續攀升之際，高頻寬記憶體（HBM）戰場已提前轉向下一代產品。隨著 AI 伺服器與加速運算需求持續爆發，HBM4 被視為關鍵成長引擎，全球三大記憶體廠，包括 SK 海力士、三星、美光科技 (MU-US) 也正式展開新一輪市占率競逐。
根據《TheElec》報導，SK 海力士已將位於南韓清州的 M15X 工廠量產時程提前約四個月，預計將於明年 2 月開始量產用於 HBM4 的 1b DRAM 晶圓。
產能方面，該廠初期產能規劃約 1 萬片，並預計在明年底前提升至數萬片。
相關人士透露，目前設備投入與安裝作業正同步進行，公司已調整原有計畫，以更快速度與更大規模推進量產進程。
值得注意的是，M15X 被業界視為「HBM4 專用工廠」，此次提前投產也被解讀為 SK 海力士對未來 HBM4 需求與供應能力的高度信心。
在技術層面，SK 海力士已完成 M15X 早期投產的關鍵準備工作，包括 1b HBM4 製程的認證。
其採用改良電路設計的 HBM4 晶圓，預計將於本月底完成晶圓製造，並於明年 1 月初向輝達交付下一代 12 層 HBM4 記憶體的最終樣品。
同時，輝達 (NVDA-US) 新一代採用 HBM4 記憶體的 Vera Rubin 200 平台，商用進程逐漸浮現。
市場普遍預期，輝達 GB300 AI 伺服器機櫃在明年的出貨規模可望上看 5.5 萬台，年增幅度高達 129%。
隨著需求快速擴大，Vera Rubin 200 平台預計於明年第四季正式放量出貨，且部分供應鏈廠商已掌握延伸至 2027 年的訂單能見度。
從市占結構來看，SK 海力士目前仍穩居全球 HBM 市場龍頭。
Counterpoint Research 數據顯示，今年第三季 SK 海力士 HBM 營收市占率達 57%，雖略有下滑，但仍優於去年同期；三星與美光則分別為 22% 與 21%。
不過，這樣的格局未來恐出現變化。南韓《每日經濟新聞》指出，輝達相關團隊近日拜訪三星，並通報 HBM4 系統級封裝（SiP）的測試進展。
會中透露，在運行速度與功耗效率等核心指標上，三星 HBM4 的表現優於其他記憶體供應商。
基於測試成果，輝達已為三星 HBM4 供應「開綠燈」。據了解，輝達要求三星於明年的 HBM4 供應量，明顯高於三星內部原先預估，預料將對其營運表現帶來正面助益。
三星內部人士也指出，與先前的 HBM3E 相比，公司在 HBM4 的研發進度上已取得領先地位。
市場傳出，三星考量平澤第四工廠（P4）產線的建置進度與產能配置，計畫於明年第一季正式簽訂 HBM4 供應合約，並自第二季起展開實際供貨。
另一方面，美光同樣不缺席這場競賽。根據最新財報，美光的 HBM4 預計將於 2026 年第二會計年度依計畫量產，並實現高良率的產能爬坡。
其 HBM4 在基礎邏輯晶片與 DRAM 核心晶片上，均採用先進 CMOS 與金屬化製程，相關晶片由美光自行設計與製造。
華泰證券分析指出，2026 年全球三大記憶體廠的資本支出，可能將高度集中於 HBM 與 DRAM 領域。TrendForce 預測，2026 年 DRAM 位元成長率可望達到 26%。
在此背景下，記憶體「超級週期」有機會成為 2026 年半導體產業的重要主線，但整體走勢將呈現結構性分化。
市場普遍看好，Batch ALD 設備、測試設備及先進封裝加工設備的需求，未來將出現明顯成長。
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