全球最快非揮發性快閃記憶體問世！復旦大學發表新PoX晶片 有望突破AI儲存瓶頸

中國復旦大學研究團隊近期發表了一款名為「PoX」（Phase-change Oxide）的超高速非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory），寫入速度快驚人，每秒可以傳輸 50 億次資料（5000 MT/s），大幅超越先前每秒 200 萬次的世界紀錄。這一突破不僅為快閃技術樹立新標竿，也為人工智慧（AI）儲存解決方案開創了新局面。

比 SRAM 與 DRAM 更快，且具備非揮發性

PoX 記憶體不同於傳統的靜態隨機記憶體（SRAM）與動態隨機存取記憶體（DRAM），雖後者寫入速度可達 100 至 1000 MT/s，卻為揮發性記憶體（Volatile memory），斷電即會失去所有儲存資料。

相較之下，PoX 不但保有高速特性，更具備非揮發性，即使在斷電狀態下也能保存資料，打破了以往高速與非揮發性無法兼得的限制。

AI 運算再升級，PoX 降低延遲與耗能

PoX 記憶體具備極低能耗與驚人速度，能大幅減少 AI 運算中資料搬移所產生的延遲與能源浪費。這一特性對於 AI 晶片、機器學習與自動駕駛汽車系統等需要即時大量資料處理的應用尤其關鍵，被視為下一代 AI 硬體的突破口。

石墨烯取代矽材，實現超高速電荷注入

該研究的技術核心在於重新設計記憶體結構，將傳統矽材料替換為能讓電荷快速流動的二維材料「狄拉克錐石墨烯」（Dirac Cone Graphene）。透過調整儲存通道的高斯長度，實現所謂的「二維超導現象」（Two-Dimensional Superconductivity），進而讓電荷快速注入儲存層，突破傳統材料在速度上的極限。

AI 助攻實驗優化，下線驗證成果可期

研究負責人周鵬教授指出，團隊透過 AI 演算法優化測試工藝條件，推動 PoX 記憶體技術進入成熟階段。目前該技術已完成晶片下線（Tape Out）驗證，初步成果顯示其極具商業化潛力。未來將進一步與製造夥伴合作，推進 PoX 的應用。

有望導入手機與電腦，使本地模型運算無瓶頸

復旦大學集成電路與系統國家重點實驗室研究員劉春森表示，該技術已能製造出小型且功能完備的晶片。下一階段目標則是將其整合到智慧型手機與個人電腦中，藉此解決目前部署本地 AI 模型時，常見的延遲與過熱問題。