擴產節奏低於預期!SK海力士HBM4後道設備訂單延至2027 輝達供應鏈藏變數?
鉅亨網編譯陳韋廷
- 1.SK海力士HBM4後道設備訂單傳遞延至明年,2027年投資計畫也未正式通知供應商,市場憂量產進度放緩。
- 2.分析師稱HBM4供貨品質疑慮屬可解決範疇,SK海力士已提供16層堆疊樣品,技術仍居領先。
- 3.今年下半年HBM投資趨保守,部分資金轉向通用DRAM,龍仁Y1工廠初期也將優先配置DRAM產能。
外媒最新報導指出,SK海力士第六代高頻寬記憶體HBM4擴產步伐出現放緩跡象,部分後道工序設備訂單遞延至明年,後續採購計畫尚未明朗,引發市場對HBM4量產進度的疑慮,相關設備供應商股價承受潛在壓力。

韓媒《Dealsite》近日引述半導體設備業界消息報導,原定今年下半年交付的部分HBM4後道設備,出貨時程往後順延,已交付設備是否滿載運轉缺乏數據佐證,SK海力士2027年度投資計畫也未正式通知部分供應商。
SK海力士今年HBM4設備主要發單作業大致告一段落,但追加投資訊號並不明顯。有業者直言,若擴產積極推進,理應釋出明確動向,目前SK海力士未明顯縮減,也沒有擴大HBM4投資的清晰訊號。
不過,市場也有不同聲音,呼籲不宜過度解讀。南韓大信證券分析師柳亨根指出,市場對於HBM4供貨品質問題存在過度憂慮,後道工序出現的問題屬於可解決範疇,尚未走到需要討論賠償責任的地步。
技術層面,SK海力士已向主要客戶提供HBM4 16層堆疊樣品,在高堆疊封裝技術上依舊維持領先地位。
另一關鍵背景是通用DRAM市況回暖,SK海力士投資重心可能出現結構性調整。設備業界人士表示,今年下半年SK海力士對HBM相關投資趨於保守,部分資金轉向價格走揚的通用DRAM。這與龍仁半導體集群布局相互呼應,Y1工廠首座潔淨室優先導入DRAM生產設備,預計採用第六代10奈米級(1c)製程,新增產能初期將優先配置給通用DRAM,即便1c製程投產,短期也難以撥給HBM使用。
整體而言,設備訂單延後不等同HBM4產品競爭力出現問題。多位業內人士強調,SK海力士封裝實力居於業界前列,僅憑2027年投資計畫尚未對外說明,就斷言HBM4量產受阻,依據並不充分,後續仍須觀察客戶驗證進度與實際投片動向。
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