中韓記憶體代差縮小：NAND只剩1年、DRAM約2年 HBM仍卡關

韓國半導體產業協會（KSIA）報告指出，目前中國與韓國在NAND快閃記憶體的技術代差約1年，DRAM約2年，HBM則仍落後約3年。其中，長江儲存積極推進400層NAND量產，長鑫儲存(688825-CN) 則已啟動HBM3E試產，但目前綜合良率僅約21%，先進製程與良率仍是追趕關鍵。

長江儲存NAND代差縮至約1年

在三大儲存產品中，中韓技術差距最小的是NAND。報告指出，三星電子與SK海力士在2025年啟動300層NAND量產，長江儲存則計畫於2026年推進400層NAND量產，若以量產時間計算，雙方差距約1年。

產能方面，長江儲存目標在2027年初將12吋晶圓月產能提高至30萬片，待2028年新廠投產後，總月產能進一步增至45萬片。報告列出的三星2027年底NAND目標月產能則為35萬片，不過該數據需與三星全球NAND總產能區分。

長江儲存目前生產線設備國產化率約45%，並以2026年底全球NAND市占率達15%為目標。若400層NAND如期量產，產品可涵蓋消費級SSD及資料中心冷儲存市場。

長鑫DRAM落後約2年

DRAM方面，KSIA以DDR5規模化量產時間作為比較基準。三星與SK海力士約在2023年前後達到相關階段，長鑫儲存則為2025年，技術代差約2年。長鑫目前已量產LPDDR4X，同時推進LPDDR5系列及後續LPDDR6產品的量產準備。

製程方面，報告稱長鑫採用氧化鉿高介電常數金屬閘極（High-k Metal Gate）製程生產1α節點（G4）DRAM，下一代1γ節點（G5）DRAM則正在研發。

長鑫儲存預計2026年底將12吋晶圓總月產能提升至30萬片，其中HBM專用產能為每月5萬片；待上海、合肥新廠完成後，2030年總月產能目標進一步提高至60萬片。

依報告測算，若2026年底30萬片月產能順利落地，可能取代約10%的中國中低階DRAM進口需求。

HBM3E啟動試產 綜合良率約21%

相較NAND與DRAM，HBM仍是中國儲存業者追趕難度最高的領域。報告指出，長鑫儲存已啟動HBM3E試產，目前綜合良率約21%。

其中，前端8層堆疊階段良率約30%，後端組裝測試良率約70%，兩階段相乘後，相當於每100顆試產堆疊體約有21顆能通過最終測試。

技術參數同樣存在差距。長鑫HBM每顆DRAM裸晶約採用3,000個矽通孔（TSV），低於SK海力士的8,000個以上及三星的5,000個以上，頻寬也低於海外廠商同類產品。

長鑫目前採取銅對銅混合鍵合技術，取代傳統微凸塊製程，以提高堆疊密度並降低對微凸塊製程的依賴。

不過，HBM核心DRAM裸晶的前段製造仍受到先進光刻設備限制，混合鍵合本身並不代表能完全繞過EUV。

良率與中國產DUV成追趕關鍵

供應鏈方面，報告指出長鑫儲存即將導入中國國產深紫外光（DUV）微影設備，但目前中國產DUV在投影鏡頭、光源等核心零組件仍存在瓶頸，成為後續擴大產能的重要限制。

KSIA認為，受到良率及TSV製程限制，中韓HBM約3年的技術代差短期內仍難快速縮小，AI訓練所需高階HBM仍主要依賴海外廠商供應。

後續關鍵在於長鑫HBM3E綜合良率能否從目前約21%持續提升，以及國產DUV設備導入與產能落地進度，前者牽動HBM能否從試產走向更成熟階段，後者則將影響未來擴產上限。