加速AI賽道布局！SK海力士未來論壇提出「全堆疊AI記憶體」戰略：從容量速度轉向系統設計力

記憶體競爭的基準，正從容量與速度轉向系統設計能力，南韓SK海力士週二(8日)在利川園區舉行「2026 SK海力士未來論壇」上提出「全堆疊AI記憶體」戰略，社長郭魯正強調需將視角由內向外轉換，站在客戶與合作夥伴角度審視事物，在AI生態變革中發掘新可能性。他指出，記憶體市場已從比拼速度的「直路」駛入瞬息萬變的「彎道」，把握外部環境變化與靈活適應能力同樣重要。

SK海力士試圖擺脫單純內存供應商的角色，轉型為理解並共同設計AI系統的企業。這項戰略的核心是組合與協作。副總裁Lim Eui-cheol闡述了將3D堆疊DRAM、HBM與HBF等不同記憶體捆綁搭配、以匹配工作負載特性的做法。另一支柱則是與AI服務、軟體、加速器生態夥伴推動「系統級共同設計」。

SK海力士勾勒出邁向「全堆疊AI記憶體創造者」的方向，這一轉變源於工作負載的變化。

隨著AI邁向自行設定目標並執行任務的「代理式AI」，AI必須記憶與管理的狀態資訊量大幅增加。由於資料壽命與存取特性各異，單一通用記憶體已難以應對。隨著多代理與長時間執行場景擴大，容量與帶寬上也出現了新的瓶頸。

SK海力士高管則將技術解法指向3D。SK海力士副總裁金慶勳、孫浩英分享3D技術發展方向與待攻克課題，提出三大核心技術路線：最大化數據匯流排頻寬、超短距離傳輸、利用邏輯代工廠製造DRAM週邊電路。

金慶勳、孫浩英將3D技術分為兩類：一是垂直堆疊元件的「元件整合」，二是將不同功能晶片分開製造再結合成一體的「異質整合」，主要方向包括最大化資料總線帶寬、超短距離傳輸及為DRAM外設電路採用邏輯代工。

金慶勳說：「要將3D堆疊DRAM落實為實際產品，必須解決不同以往的技術難題，包括發熱與過程難度，還有設計優化。」

孫浩英說：「3D技術正改變晶圓廠與封裝之間的技術界線。除先進封裝技術的創新，建立跨領域協同優化與新的協作體系同樣重要。」

與此同時，SK海力士也檢視了落實面的挑戰：須同步解決封裝難題，涵蓋設計、散熱，以及精細互連、鍵合與流程整合。隨著前段與後段過程的界線，乃至代工與記憶體之間技術與業務的界線日益模糊，SK海力士認為需要跨出既有領域進行協同優化。