鉅亨網編譯莊閔棻
英特爾(INTC-US) 下一代14A（1.4奈米級）製程傳出正面進展，缺陷密度下降速度不僅優於公司原先設定的目標曲線，更創下22奈米製程以來的最佳表現。英特爾財務長David Zinsner在德意志銀行2026年科技大會上表示，14A目前的製程表現讓公司「自22奈米以來從未見過這樣的表現」。
按照目前規劃，14A預計在2027年下半年進入風險量產，並於2028年邁入大規模量產。
距離正式投產約還有兩年，但客戶端態度已開始出現變化，英特爾內部設計團隊已著手以14A開發產品，外部晶圓代工客戶則從過去評估技術數據，進一步詢問未來可取得的產能及供應安排。
Zinsner指出，14A目前的缺陷密度表現優於英特爾原先設定的目標，而且缺陷下降速度也是公司過去各製程節點中最快的一次。他並以22奈米作為比較基準，認為這是英特爾推出過表現最出色的製程之一。
22奈米是英特爾首個採用FinFET架構的製程節點，當年推出時具備領先優勢。2012年上市的Ivy Bridge處理器即採用22奈米製程，該製程持續支撐英特爾CPU產品線至2016年，之後也繼續應用於其他產品。
不過，Zinsner的比較主要是針對製程開發進度，而非直接比較兩代製程的絕對缺陷密度。他所指的是14A距離量產約兩年時的缺陷改善軌跡，與22奈米在相近開發階段的表現相比。
此外，隨著過去16年間晶圓檢測設備持續進步，業界對「缺陷」的檢測與計量方式也有所改變，而缺陷密度本身亦不能直接等同於最終良率。
14A本身的製程複雜度，也讓目前的缺陷改善進度更受關注。該製程將採用第二代環繞閘極（GAA）RibbonFET電晶體、第二代背面供電PowerDirect，以及High-NA EUV極紫外微影技術，整體技術難度明顯高於當年的22奈米。
在這樣的技術組合下，14A仍能快速降低缺陷密度，對近年製程發展一度面臨挑戰的英特爾而言格外重要。
過去英特爾14奈米曾因良率問題延後一年，初代10奈米也遭遇重大挑戰，20A則最終取消；18A進入量產時缺陷水準仍偏高。至於Intel 4與Intel 3，英特爾過去並未公開太多製程進展細節。
除了製程數據改善，英特爾更關注的是客戶對14A的態度正在發生變化。
Zinsner透露，英特爾內部設計團隊已經開始在14A上開發產品。他形容這些內部客戶「大概是所有人裡最挑剔的」，因此他們願意選擇14A進行產品設計，對英特爾而言也是一項重要的信心提振。
外部晶圓代工客戶的詢問方向也開始改變。Zinsner表示，執行長陳立武與團隊目前每週都會與客戶會面，而客戶關注的問題已經從單純「看數據」，轉向詢問「我能拿到多少產能」以及「供應節奏要怎麼安排」。
Zinsner也表示，英特爾目前對14A的外部客戶業務已經建立起更明確的信心。
距離14A大規模量產仍約有兩年時間，英特爾則希望這一新製程最終能重現22奈米的長壽命，成為公司重要且可長期使用的製程節點。
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