鉅亨網新聞中心
全球記憶體龍頭三星電子周二 (7 日) 發布了震驚市場的 2026 年第二季度初步財報。受惠於人工智慧 (AI) 浪潮引發的記憶體超級周期，三星該季營業利潤較去年同期飆升逾 19 倍，創下公司歷史新高，更一舉超越輝達 (NVDA-US) 成為「全球最賺錢的公司」。
然而，這份看似輝煌的成績單卻未能滿足市場的極高預期，反而引發南韓股市大震盪，三星股價單日重挫逾 9%，甚至一度觸發大盤熔斷。
根據三星電子的初步業績報告，截至 6 月的第二季，營業利潤預計達 89.4 兆韓元 (約 584 億美元)，較去年同期的 4.7 兆韓元大幅增長近 19 倍，並較第一季度環比增長 56%。這一數字不僅打破了三星單季歷史記錄，更超越了分析師平均預期的 84.2 兆至 84.4 兆韓元。
這也使三星本季的營業利潤超過輝達上季的 535.36 億美元 (約 82 兆韓元)，躍升為全球季度獲利最高的企業。同期營收則達到 171 兆韓元，年增率約 129.3%，同樣刷新歷史紀錄。
儘管獲利數據驚人，三星電子的股價卻在財報公布後遭遇滑鐵盧。7 月 7 日當天，三星股價開低走低，跌幅一度擴大至 9.43%，收在 288,000 韓元，跌破 29 萬韓元的門檻。這股拋售潮同時波及了南韓綜合股價指數 (KOSPI)，導致指數一度重挫逾 7.5%，觸發熔斷機制，交易暫停超過一分鐘。
證券分析師指出，這種「業績失誤」(Earnings Miss) 的解讀源於市場預期走得太快。雖然 89.4 兆韓元的利潤高於平均預期，但仍低於部分市場傳言的 90 兆至 100 兆韓元高標。
此外，這反映了典型的「利多出盡」(Material Dissipation) 現象，即利多消息早已反映在股價中，投資者在財報公布後隨即獲利了結。
這股衝擊波也蔓延至全球半導體類股。南韓 SK 海力士股價應聲下跌約 10%，日本記憶體廠鎧俠 (Kioxia) 下跌 11.26%，美國美光 (MU-US) 與 SanDisk 在盤後交易中也紛紛走低。
推動三星獲利爆炸式增長的核心在於 AI 數據中心對高頻寬記憶體 (HBM) 的極度渴求。為了應對 AI 需求，製造商將產能集中於高端產品，導致傳統 DRAM 和 NAND 快閃記憶體供應嚴重短缺，價格全面飆升。
根據匯豐銀行數據，今年 4 至 6 月，DRAM 平均售價較上季漲幅超過 40%，NAND 價格漲幅則超過 50%。花旗研究的數據與此接近，顯示同期 DRAM 和 NAND 均價分別較上季上漲 44% 和 53%。
分析師也指出，客戶正越來越多地尋求簽訂較長期的供貨協議，這進一步強化了市場對儲存價格將維持高位的預期，並有利於三星等具備大規模產能的廠商。
輝達 CEO 黃仁勳及 OpenAI 營運長 Brad Lightcap 等高階主管均曾公開表示，記憶體晶片供給不足正制約 AI 基礎設施擴張的步伐。
分析師預計，這項短缺局面至少將持續至 2027 年，這為三星及競爭對手 SK 海力士和美光科技提供了相當可觀的定價能力。
儘管整體獲利亮眼，三星電子內部仍面臨挑戰。分析師指出，公司的代工 (Foundry) 及邏輯晶片 (LSI) 業務在本季可能面臨虧損擴大，成為整體業績的拖累。
此外，三星在今年 5 月與員工達成薪酬協議，將提撥半導體部門全年營業利潤的 10.5% 作為特別獎金。本季利潤中已計提了部分撥備，用於支付晶片部門員工最高可達 40 萬美元的獎金。若未計提這筆龐大支出，其營業利潤數字將會更加驚人。
三星與 SK 海力士被視為南韓爭奪全球 AI 領導地位的核心支柱。為了鞏固優勢，南韓政府正推動龐大的產業計畫。三星集團與 SK 集團計畫在南韓西南部投資共 800 兆韓元，各自興建兩座晶片工廠，目標在五年內將記憶體產能翻倍。
單就三星而言，公司已宣布計畫在 2026 年投入超過 700 億美元用於研發與產能擴張，以因應持續到 2027 年的長期需求。三星預計將於 7 月 30 日發布包含淨利潤及各業務部門細分數據的完整正式財報。
下一篇
