記憶體見頂？美銀駁：「三大利空」都不成立

美國銀行近日發布最新記憶體產業週報，時間點恰逢記憶體相關個股出現大幅回檔。報告針對市場三大疑慮逐一釐清，核心結論明確：當前流傳的利空消息，絕大多數並不成立。

綜合來看，美銀認為此波記憶體股的回調，更多是市場情緒反應過度所致，產業基本面的上行趨勢目前並未出現根本性的轉變。

利空一：Meta 砍單傳言？供應鏈實況說「沒有」

市場近期盛傳 MetaMETA-US) 有意削減記憶體訂單，理由是該公司可能將閒置的 AI 伺服器對外出租，引發產能過剩疑慮。

然而，美銀直接走訪晶片廠商後，得出截然相反的結論。Meta 在 HBM、LPDDR5 及 eSSD 的長期訂單仍持續增強，NAND 控制晶片 IC 廠商與基板材料供應商亦雙雙證實此一說法。

美銀強調，Meta 開放數據中心作為雲端服務，並不等同於產能過剩，且所採用的記憶體規格反而更為先進。

利空二：中國長鑫打入 iPhone 供應鏈？門檻難越

另一項令市場不安的傳言，是中國 DRAM 廠商長鑫存儲可能打入蘋果 (AAPL-US) iPhone 供應鏈。

美銀對此持保留態度，認為實際採購量不會太大，並點出三道硬門檻：

• 其一，美國對中半導體出口管制的政策壁壘；
• 其二，長鑫現有 DRAM 規格尚不符合蘋果要求（包含 10Gbps 以上傳輸速率、1.1V 功耗標準及 ECC 錯誤糾正功能）；
• 其三，韓美三大 DRAM 廠商的智慧財產權護城河深厚，難以跨越。

美銀判斷，蘋果更可能將長鑫作為談判籌碼，藉此壓低下半年或 2027 年的合約價格，而非大規模實質採購。

利空三：韓國八百兆投資計畫不等於景氣見頂

韓國政府宣布在西南部建置規模高達 800 兆韓元的記憶體晶圓廠產業聚落，部分市場人士將此解讀為產業週期見頂的訊號。

對此，美銀認為該聚落最快也要到 2033 年才能有實質產出，現階段重心仍在龍仁與平澤廠區的擴建計畫（2026 至 2035 年）。

加上 HBM、SOCAMM、eSSD 等企業級需求分散且強勁，從資本支出的角度來看，目前並未出現週期見頂的跡象。

企業管理層比投資人更樂觀、硬數據支撐

美銀本週赴日本進行實地調研，分別與投資人及 NAND 供應鏈業者會談。

調研結果顯示，投資人普遍聚焦於「何時見頂」的擔憂，然而受訪企業管理層的看法卻明顯更為樂觀，第二季平均銷售價格表現優於預期（尤其是 NAND），第三、四季仍在持續上漲，且業者預估 DRAM 與 NAND 最快可能在 2027 年出現供不應求的局面。

此外，長期採購協議（LTA）雖在增加，但主要以拉高出貨量為主，整體資本支出與產能管控紀律仍維持得相當穩健。

基本面數據同樣有力支撐上述樂觀看法。韓國 6 月半導體出口金額達 448 億美元，年增幅高達 199%，創下連續六個月三位數成長的紀錄，更是 2025 年月均出口額（約 140 億美元）的三倍以上。

市調機構 TrendForce 已將第三季 DRAM 平均銷售價格季增預測，從原先的 3% 至 8% 大幅上修至 13% 至 18%。

與此同時，美國四大科技巨頭 2026 年資本支出合計約達 7,000 億美元，年增幅約 80%，預計 2027 至 2028 年將進一步逼近 1 兆美元大關。