美股

聚焦AI與半導體!三星擬未來10年在韓砸逾1000兆韓元投資 創韓企史上最高紀錄

鉅亨網編譯陳韋廷

南韓三星電子預計在下周一 (29 日) 於南韓總統府舉行的「韓國大飛躍三大超級項目國民報告會」上宣布,將在未來 10 年在南韓本土尖端產業投資計畫,總規模超過 1000 兆韓元 (約 6475 億美元),相當於南韓 2025 年名目 GDP(約 1.87 兆美元) 的三成以上,創該國企業史上單筆投資最高紀錄。

cover image of news article
(圖:shutterstock)

上述投資藍圖由三星電子牽頭,聯合三星 SDI、三星顯示等集團子公司共同推進,涵蓋半導體、AI 資料中心、次世代顯示面板及儲能電池等核心領域。


半導體為重中之重。三星擬投入約 300 兆韓元於光州及全羅南道新建多座晶圓廠,配合政府打造全國第二大半導體產業集群。

以單座先進晶圓廠約 60 兆韓元造價估算,300 兆韓元可興建四至五座先進製程工廠,規模可與現有平澤基地匹敵。

AI 投資方面,三星將於忠清南道持續擴充算力叢集,依託 HBM 優勢對接全球 AI 基礎建設需求,SDI 則加碼新一代動力與儲能電池產線,三星顯示持續投資下一世代 QD-OLED 及 Micro LED 技術研發與產能。

作為全球最大 DRAM 與 NAND flash 供應商,三星正面臨 SK 海力士 HBM 領先優勢及台積電先進製程代工競爭壓力。

財報數據顯示,三星電子 2025 年營業利潤 43.6 兆韓元,機構預估今年可上看 55 兆韓元,2026 至 2028 年半導體榮景期間累計營業利潤有望突破 150 兆韓元,未來 10 年千兆級資本支出具財務可行性。

過去,三星電子曾數度宣布大規模投資,此次規模、涵蓋範圍與戰略定位均創新高。除鞏固技術領先地位外,亦響應南韓政府推動產業設施從首都圈向外擴散、促進區域均衡發展政策,SK 海力士亦在審視於湖南及忠清地區興建半導體集群,投資規模傳高達 400 兆韓元


section icon

鉅亨講座

看更多
  • 講座
  • 公告

    Empty
    Empty