AI搶食產能、記憶體寒冬將至？DRAM供需失衡恐延續至2027年

《Wccftech》報導稱，全球 DRAM 市場正陷入供給失衡的膠著狀態，由於人工智慧（AI）浪潮帶動高頻寬記憶體（HBM）需求暴增，加上各大廠擴產動能受限，預期記憶體晶片供不應求的局面，將至少持續至 2027 年前後，市場價格也隨之走揚，最快需等到 2028 年才可望逐步回穩。

目前全球 DRAM 市場由三星電子、SK 海力士及美光科技三大龍頭主導，合力掌控約九成市佔率，這三家廠商同時也是生產 AI 核心組件 HBM 的關鍵企業。

然而，受限於晶圓供應不足、新廠建設週期長，以及先進製程良率提升緩慢等門檻，三大廠目前的擴產速度顯然追不上市場胃口。

數據顯示，若要徹底緩解缺貨壓力，產業年產能需維持 12% 的成長，但目前的實際成長率僅約 7.5%，現有的產能擴張計畫僅能滿足市場約六成需求，供需缺口仍大。

觀察指標性企業的產能布局，三星電子雖然計畫在今年啟用平澤園區第四廠，但因需兼顧邏輯晶片生產且量產時程推遲，擴產空間受限；其聚焦 HBM 的第五座工廠更預計要到 2028 年後才能貢獻產能。

SK 海力士的清州 HBM 工廠雖已投產，為今年市場提供部分活水，但龍仁新廠最快也要到 2027 年完工。美光則積極布局美國與新加坡產線，但量產時程多落在 2027 至 2028 年間。

業內人士普遍認為，在擴產難度極高的情況下，AI 專用記憶體的緊繃狀態甚至可能延伸至 2030 年。

在需求側與成本側的雙重夾擊下，產業壓力與日俱增。由於三大廠商優先將資源投入高毛利的 AI 記憶體，排擠了通用型記憶體（General DRAM）的產能，導致通用產品從 2025 年秋季起短缺風險加劇。

今年第一季，記憶體價格已顯現強勁漲勢，環比漲幅預估達 90%。此外，中東地緣政治動盪推升了电力與原料成本，更為供給端增添了不可控的變數。

供應鏈的緊縮效應已逐步擴散至下游終端產品。目前全球高達八至九成的記憶體晶片應用於電腦、智慧型手機及伺服器，其餘則分布於車用及工業領域。

隨著記憶體成本飆升，低階智慧型手機的記憶體成本佔比，預計將從現在的 20% 翻倍成長，至今年年中逼近 40%，這將嚴重侵蝕手機品牌的利潤，迫使廠商下調產量。

同時，汽車零件供應商也正面臨記憶體短缺的經營挑戰，全球科技與工業體系恐需在未來數年持續應對這波「記憶體寒冬」。