〈馬年景氣展望〉A推升記憶體缺貨 台廠報價看漲、獲利動能延續

AI 基礎建設方興未艾，全球記憶體市場面臨數十年罕見的「雙缺」局面，DRAM 、NAND 與 NOR Flash 同步吃緊。業界普遍預期，AI 時代下，高階記憶體用量只增不減，且在各家業者聚焦高價值產品下，短期 DDR4、DDR3、MLC/SLC NAND 以及 NOR Flash 的合約價將穩中向上，有利南亞科 (2408-TW)、華邦電 (2344-TW)、旺宏 (2337-TW) 與力積電 (6770-TW) 營運。

業界分析，AI 伺服器、高效能運算與雲端資料中心持續擴建，運算架構也大改革，使單機記憶體用量大幅提升，帶動 DRAM、高頻寬記憶體 (HBM) 以及 NAND Flash 需求同步成長，加上大廠將資源著重在高階產品，造成記憶體產業出現結構性缺口，預計這波缺貨潮至少延續至 2027 年。

研究機構分析，在記憶體產業過去的超級循環中，供需缺口頂多落在中個位數水準，但目前短缺程度與持續時間明顯更為嚴峻，且 AI 相關應用正進一步推升需求。

業界普遍認為，由於現階段原廠受限建廠週期、投資金額與良率爬坡時間拉長等因素，即便已有業者加碼資本支出，短期內仍難以快速補足產能。相關預測顯示，2026 至 2027 年間，通用型 DRAM 仍可維持約 7% 的供給缺口。

在此背景下，台灣記憶體族群可望同步受惠，包括南亞科、華邦電、旺宏與力積電，皆有機會在報價續漲與稼動率滿載下，帶動營運動能續強，尤其毛利率表現可望更強勢。

華邦電日前即表示，在供給端結構性收縮影響下，即便公司啟動擴產計畫，短期內仍難以完全補足市場缺口，並預期第二季產品價格漲幅可望與第一季相當，下半年也穩健，整體價格趨勢穩健向上，預估首季毛利率將超越去年第三季的歷史紀錄 51%，南亞科也預期第一季毛利率將再優於上季的 49%，凸顯漲價紅利延續。

此外，隨著大廠陸續淡出 SLC NAND 領域，旺宏與華邦電也大啖轉單潮，雙雙擴增 SLC NAND 產能，同時 NOR Flash 缺貨情況也遠超預期，目前報價漲幅已經超越 DDR4，成為台廠產品中報價最強勢的產品，有助推升兩家業者營運。

力積電也藉由出售銅鑼廠與美光 (MU-US) 結盟，一舉精進現有的利基型 DRAM 製程技術，更與美光簽下 DRAM 先進封裝的協議，晉身為先進記憶體業者，看好過往投資的 3D 晶圓堆疊 (Wafer on Wafer)、中介層等，都將成為未來營運活水。

業界認為，短期內記憶體缺貨格局仍將延續，價格支撐力道可望維持，但隨著下半年供給逐步釋出、需求成長趨於理性，漲價幅度也將收斂，須密切觀察各家記憶體業者的擴產策略以及 AI 帶來的成長動能。