記憶體Q1全面上修漲幅預估 季增幅創歷史新高

研調機構 TrendForce 今 (2) 日出具最新報告，2026 年第一季 AI 與資料中心需求持續加劇記憶體供需失衡，原廠議價能力有增無減，因此全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各產品價格季增幅，預估整體 conventional DRAM 合約價將從 1 月初公布的季增 55-60%，改為上漲 90-95%，NAND Flash 合約價則從季增 33-38% 上調至 55-60%，並且不排除仍有進一步上修空間。

TrendForce 指出，由於 2025 年第四季 PC 整機出貨優於預期，目前 PC DRAM 仍普遍缺貨，即便是確定取得原廠供給的一線 PC OEM 業者，DRAM 庫存水準仍有下滑。在賣方市場、合約價商談行情背景下，預計 2026 年第一季 PC DRAM 價格將季增 100% 以上，漲幅達歷史新高。

觀察伺服器 DRAM 市場，北美、中國各大雲端服務業者 (CSP)、伺服器 OEM 至 1 月為止，持續和記憶體原廠洽談年度 DRAM LTA (long-term agreement) 供應量。由於買方積極競逐原廠供給，將帶動第一季伺服器 DRAM 價格大幅上漲約 90%，幅度創歷年之最，原廠須根據對買方真實需求的判斷擬定供給策略，極力在各客戶關係間取得平衡。

至於手機 DRAM 市場，因整體 DRAM 市場供需差距不斷擴大，各終端應用競相提高報價以爭取配額，預計將導致第一季 LPDDR4X、LPDDR5X 合約價皆大幅上調至季增 90% 左右，同樣是歷來最高。

其中，原廠對美系手機客戶今年第一季的合約價格已自去年底起陸續完成議定；中系手機客戶則因去年第四季合約價敲定，再加上農曆年長假影響，預估最快需至 2 月底才會有實質進展。

在 NAND Flash 市場部分，儘管第一季訂單量大幅超越供應商的生產負荷，然原廠更看好 DRAM 市場獲利前景，積極將部分產線轉為生產 DRAM，更壓縮 NAND Flash 新增產能。目前僅能透過製程升級勉強提高單位產出，短期內產能瓶頸將難以獲得舒緩。

隨著 AI 推論應用場景擴大，市場對高效能儲存設備的需求遠高於預期，北美各大 CSP 自 2025 年底起開始強力拉貨，刺激企業級 SSD 訂單爆發。在供給缺口持續擴大的情況下，買方激進囤貨以盡早補足庫存，推升 2026 年第一季企業級 SSD 價格將季增 53-58%，創下單季漲幅最高紀錄。