記憶體出現雜音！DRAM現貨價近半年首見走弱 問題在「成本紅線」

美銀最新報告顯示，在歷經 4 至 5 個月連續上漲後，DRAM 現貨價格上周出現走弱，為 2025 年 9 月以來首次回檔，為火熱的記憶體行情投下一道雜音。美銀分析指出，目前仍不宜將此解讀為產業反轉或「硬著陸」的早期訊號，但短期價格波動已開始反映終端成本。

美銀指出，隨著 DRAM 現貨價格持續攀升，多家原始設備製造商（OEM）已反映，記憶體成本在低階個人電腦、智慧型手機與平板電腦中的占比，已高於合理水準。一般情況下，DRAM 成本占終端產品售價比例應低於 10%，但以目前現貨價格計算，部分產品已難以吸收相關成本。

不過，從合約市場來看，美銀認為現貨與合約價格仍存在明顯落差。第一線 OEM 取得的 DRAM 合約價格，仍大致落在每 GB 10 至 20 美元區間，遠低於現貨市場水準，顯示現貨價格後續可能朝合約價格回歸。部分模組廠亦指出，若 DDR4 或 DDR5 價格回落至 20 至 30 美元區間，不論容量或規格，市場仍具備明顯追加採購動能。

短期雜音之外，美銀同步上修對記憶體產業的中期展望。根據 1 月 31 日發布的最新模型更新，美銀將 2026 年 DRAM 與 NAND 平均銷售價格（ASP）預期上調 20% 以上，並小幅提高儲存位元出貨量成長假設，同時上修資本支出預估，主要反映高頻寬記憶體（HBM）擴產，以及晶圓廠土木工程與電力等基礎建設投資增加。

美銀指出，HBM 市場規模持續擴大，一方面來自美國大型科技企業對 AI 與高效能運算的需求持續走強，另一方面則與 三星 HBM4 產品量產進度順利有關。整體來看，AI 伺服器需求仍是支撐記憶體價格與產值的重要結構性力量。

在供需結構上，儘管部分 OEM 因成本壓力調降終端產品產量，但美銀認為，AI 伺服器需求穩健成長，使相關影響對整體儲存需求相對有限。美銀仍看好記憶體產業具備多年成長週期，但預期 2026 年第二季至下半年 ASP 將趨於穩定，2027 年可能出現低於 10% 的價格回檔。

以產值推估，美銀預期，在 ASP 上漲 50% 至 60% 的支撐下，全球 DRAM 與 NAND 銷售額可望大幅成長。DRAM 銷售額將由 2025 年的 1,340 億美元，成長至 2026 年的 2,620 億美元，年增率約 95%；NAND 銷售額則將由 810 億美元增至 1,470 億美元，年增幅約 82%。

值得注意的是，NAND 現貨市場供給仍偏緊。美銀指出，受 2025 年上半年減產的滯後效應影響，NAND 現貨供應持續吃緊，本週 1Tb 與 512Gb 規格現貨價格再度上漲，漲幅約 5% 至 6%。

從廠商別來看，美銀採自下而上的分析方法，依據主要記憶體大廠的歷史表現與長期規劃推估，認為 SK 海力士 在 HBM 領域的主導地位，於 2026 至 2027 年仍可望延續，並成為推升 DRAM 銷售額的核心動能；同時假設三星在 HBM 市場（以銷售額計）市占率約為 20%。

美銀認為，儘管短期現貨價格回檔已釋出雜音，但在 AI 驅動需求與 HBM 擴產支撐下，記憶體產業中期基本面仍偏正向，後續關鍵仍在於價格修正幅度與終端需求消化速度。