瑞銀報告：DRAM風暴正逼近汽車業

據《華爾街見聞》報導，瑞銀最新發布的全球汽車產業研究報告顯示，一場由 DRAM 晶片引發的供應鏈震盪正逼近汽車產業。受生成式 AI 爆發導致全球晶圓產能向高性能晶片傾斜的影響，汽車級記憶體晶片正面臨價格暴漲與供應短缺的雙重擠壓，其負面衝擊預計將從 2026 年第二季開始顯現。

瑞銀指出，全球三大 DRAM 供應商三星、SK 海力士和美光為追求更高利潤，正將產能重心轉向 AI 伺服器所需的 HBM。這項戰略調整直接擠壓了汽車級 DDR 記憶體的供給空間。截至報告發佈時，DRAM 晶片價格已上漲超 100%，且漲勢預計將持續傳導至汽車級產品，導致汽車業在技術過渡期內面臨嚴峻的供應真空。

瑞銀模型顯示，在 DRAM 價格大幅上漲且成本無法完全轉嫁的壓力下，零件供應商的獲利能力將遭受顯著打擊。基準情境下（DRAM 晶片漲價 120%、OEM 成本回收比例 80%），瑞銀測算得出汽車零件供應商 2026 年 EBIT 將下滑 5%-6%。若進入更悲觀的極端情境－DRAM 漲價幅度擴大至 200%，且 OEM 成本回收比例降至 50%，EBIT 下滑幅度將飆升至 24%，獲利縮水規模可達 4.8 億歐元，接近其原本 EBIT 規模的一半。

對於整車廠而言，衝擊呈現出滯後性與結構性特徵。雖然目前暫無供應中斷跡象，但未來 12-24 個月供應鏈穩定性堪憂。特別是採用集中式運算架構的高階品牌及新勢力車企，因單車 DRAM 含量較高，將面臨較大的成本波動風險。

造成這次危機的核心原因在於全球半導體資源的重新分配與技術迭代週期的錯配。

自 2025 年起，AI 伺服器對 HBM 的需求激增，促使佔據全球超 90% 市場份額的三大供應商調整晶圓分配。由於汽車級 DRAM 與 AI 晶片共享全球矽晶圓產能，每塊分配給 HBM 的晶圓，都意味著汽車 DDR 記憶體產能的縮減。

同時，汽車產業正處於從 DDR4、LPDDR4 等舊技術切換到 DDR5 新技術的過渡期。供應商正逐步淘汰舊技術產能，但汽車業完成新晶片的測試、驗 證及採購流程通常需要 2 年以上。這意味著在 2026 年至 2027 年間，汽車業將面臨舊晶片供給收縮、新晶片尚未普及的「技術斷層」。

對零件供應商的獲利衝擊，是瑞銀測算的核心重點。以歐洲為例，瑞銀透過建構財務模型，量化了 DRAM 漲價對零件供應商的具體衝擊。計算選取了一家年銷售額 200 億歐元、EBIT 利潤率為 5% 的通用零件供應商作為基準樣本。

在基準情境下，假設 DRAM 晶片價格上漲 120%，且供應商能夠從整車廠（OEM）回收 80% 的上漲成本，該企業的 2026 年 EBIT 預計將下滑約 5%-6%，獲利規模直接縮水約 1-1.2 億歐元。然而，在更悲觀的情境下，若 DRAM 漲價幅度擴大至 200%，且成本回收比例降至 50%，EBIT 下滑幅度將飆升至 24%，獲利縮水規模可達 4.8 億歐元，接近其原本 EBIT 規模的一半。

這項計算結果表明，零件供應商的獲利安全墊正在變薄。瑞銀強調，電子及 ADAS（高階駕駛輔助系統）業務佔比越高的企業，風險暴露度越大。在歐美市場中，Visteon 和 Aumovio 的相關業務佔比超過 50%，成為受 DRAM 風暴影響最直接的企業。

對 OEM 車廠而言，DRAM 成本佔整車售價的比例雖然不高，但隨著智慧化等級提升，單車 DRAM 含量已達 25-150 美元，高階車型甚至更高。瑞銀指出，特斯拉、RIVN 等採用集中式運算架構的企業，因其高階智駕與智慧座艙系統對記憶體容量需求龐大，受影響更為突出。

儘管目前尚未出現大規模的供應不穩定或價格重談，但瑞銀警告，汽車業在與財力雄厚的科技巨頭爭奪 DRAM 產能時缺乏優勢。長期來看，漲價帶來的成本壓力可能引發冗長的追溯性補償談判，加劇整車廠的財務波動。

在因應策略上，瑞銀認為現有庫存和長期採購合約僅能提供短期緩衝，長期解決方案需依賴 2028 年後的產品重新設計。從市場數據來看，2026 年全球 DRAM 產業營收預計將年增 148.4% 至 366 億美元，供需缺口將持續存在，DDR 記憶體每 Gb 均價預計將達 0.92 美元。