AI與伺服器需求夯爆！集邦：2026年DRAM供應缺口至少6% 價格狂飆58%

研調機構 TrendForce 集邦諮詢周四 (27 日) 在深圳主辦「MTS 2026 儲存產業趨勢研討會」，該機構半導體研究處資深研究副總吳雅婷在會上深入分析 2026 年 DRAM 記憶體產業發展趨勢，為業界提供了重要參考。

分析指出，2026 年，DRAM 供應將成長 20%，高頻寬記憶體 (HBM) 在總供應當中佔比為 9.1%。從供應端來看，今年全球 DRAM 供應年增 24%，2026 年將年增 20%，今年 HBM 年增 88.1%，消費性記憶體較 2024 年同期下滑 1.2%，顯示記憶體年減 0.3%，行動端記憶體則年增 23.3%，伺服器記憶體較去年同期成長 28.4%，PC 端記憶體較去年同期成長 4.4%，而 2026 年 HBM 成長幅度將降至 38.2%，消費類將成長 6.2%，顯示記憶體將成長 23.6%，行動端將成長 17.3%，伺服器將成長 23.1%，PC 端將成長 5.1%。今年 HBM 供應佔比僅 7.9%，2026 年為 9.1%，佔比最高的還是伺服器記憶體，2026 年佔比將達 39.2%，行動端記憶體佔比位居第二，2026 年佔比將達 35.3%，消費類和 PC 記憶體佔比則有所下滑。

吳雅婷表示，自 2024 年以來，AI 和伺服器對 DRAM 位元的消耗量急劇增加，預計到 2026 年將佔據總 DRAM 供應量的 66%，且這一趨勢不可逆，2027 年佔比可能提升到 70% 以上。為增加 AI 和伺服器所需的 DRAM 供應，今年三星、SK 海力士、美光三大 DRAM 原廠積極推動過程遷移，2026 年資本支出將年增 23%，但中國 DRAM 廠商因設備採購限制，資本支出成長有限，且 2026 年能增加的產出量依然很少。

DRAM 原廠新建產能將優先滿足 HBM 供應。三星、SK 海力士、美光、台灣南亞科技等都有新建產能計畫，但大多要到 2027 年底才能開出，2026 年能供給市場的新增產能比較有限。2026 年 LPDDR5X 需求將暴漲 169%，智慧手機加速轉向 LPDDR5(X)，但將面臨 AI 需求競爭，手機廠商成本壓力上升，恐透過漲價抵銷成本，還會放緩產品規格升級或削減記憶體配置。伺服器市場對記憶體需求將保持快速成長，筆電和智慧手機市場成長將受抑制。

整體來看，2026 年記憶體市場需求成長主要由伺服器市場驅動，尤其是北美雲端服務供應商 (CSP) 訂單的穩定成長，加上 AI 伺服器部署的快速推進，DRAM 需求將年增 26%，供應年增率只有 20%，至少存在 6 個百分點的供應缺口，實際缺口可能更大。

集邦諮詢預估，2026 年 DRAM 市場供應量為 1740 億個單位 (2Gb) 容量，營收規模將達 3010 億美元，將大幅年增 85%，平均單價約 1.63 美元，較去年同期上漲 58%；NAND Flash 市場供應量為 11220 億個單位 (8Gb) 容量，營收規模將達 1110 億美元，年增率 59%，平均單價約 0.1 美元，年增 32%。

目前記憶體市場已成為買方市場，原廠將持續提高合約價、控制擴產，並推動價格維持高點，2026 年 DRAM 價格將上漲 58%，且短缺和漲價可能持續更長時間，買方將面臨殘酷的 DRAM 供應爭奪戰，中小型電子產品廠商挑戰巨大。