何軍
台股新聞
AI 晶片正邁向 3D 堆疊，台積電 (2330-TW)(TSM-US) 先進封裝技術暨服務副總經理何軍今 (11) 日指出，SoIC 正式進入高速成長期，目前混和鍵和間距 (Pitch) 最小可達 6 微米，並已進入量產，預計 2029 年進一步推進至 4.5 微米，並支援 A14 邏輯晶片直接堆疊 A14 邏輯晶片，將 AI 晶片正式從平面擴展至垂直方向。
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AI 晶片正邁向 3D 堆疊，台積電 (2330-TW)(TSM-US) 先進封裝技術暨服務副總經理何軍今 (11) 日指出，SoIC 正式進入高速成長期，目前混和鍵和間距 (Pitch) 最小可達 6 微米，並已進入量產，預計 2029 年進一步推進至 4.5 微米，並支援 A14 邏輯晶片直接堆疊 A14 邏輯晶片，將 AI 晶片正式從平面擴展至垂直方向。