DRAM
台股新聞
記憶體市場近期因供需急遽變化,NAND 與 DRAM 市場同步轉旺。美光 (MU-US) 近期傳出調漲 DRAM 價格 20% 至 30%,並自 9 月 12 日起暫停一周報價,顯示需求遠超預期。業界也已證實,並看好美光開出漲價第一槍後,市場將掀起新一波搶貨潮,漲勢將從 DDR4 擴大延燒至 DDR5。
台股新聞
SK 海力士今 (12) 日宣佈,已完成 HBM4 開發,並在全球首度構建 HBM4 量產體系,展現 AI 記憶體的領導地位。此次 HBM4 傳輸頻寬擴大一倍,能效也提升 40% 以上,有助 AI 性能最高提升 69%。SK 海力士說,新推出的 HBM4 採用 MR-MUF 技術和第五代 10 奈米級 (1b) DRAM 工藝,較前一代產品翻倍的 2048 條數據傳輸通道 (I/O),頻寬擴大一倍,同時能效也提升 40% 以上,實現全球最高水準的數據處理速度和能效,運行速度高達 10Gbps(每秒 10 千兆比特) 以上,大幅超越 JEDEC 標準規定的 8Gbps(每秒 8 千兆比特)。
科技
華爾街投資機構花旗集團 (C-US)周二 (9 日) 出具研究報告指出,受 AI 領域對儲存需求激增驅動,2026 年全球關鍵科技商品 DRAM 與 NAND 快閃記憶體恐面臨供不應求局面。花旗分析師指出,隨著 AI 應用從「訓練」向「推理」及邊緣設備延伸,一般伺服器記憶體、行動端 DRAM 及高頻寬 / 高密度 NAND 快閃記憶體 (如企業級 QLC 固態硬碟) 需求將大幅成長,DRAM 供需比料將下滑至 - 1.8%,NAND 快閃記憶體供需比更低至 - 4%,整體記憶體市場供需關係趨緊並推升。
A股
南韓科學技術評估與規劃研究院前瞻技術中心(KISTEP)最新報告指出,中國半導體技術正在快速追趕南韓,並在多個晶片領域超越南韓。根據報告,目前中國在全球半導體技術排名第二,僅次於美國,幾乎在所有技術領域都領先南韓,包括儲存晶片和先進封裝技術。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 周一 (11 日) 美股盤前宣布上修 2025 會計年度第四季 (截至 8 月 28 日止) 財測,主因人工智慧 (AI) 基礎設施需求強勁,帶動其高頻寬記憶體 (HBM) 與動態隨機存取記憶體 (DRAM) 產品價格改善。
台股新聞
研調機構 TrendForce 今 (11) 日指出,下半年 DDR4 持續供不應求,價格強勢上漲,由於伺服器的剛性訂單擠壓 PC 和消費性電子市場供應,PC OEM 不得不加速導入 DDR5 方案,消費性電子廠商則面臨高價、難以取得物料的挑戰,而 DDR 市場供需緊張也推升手機 DRAM 合約價格,第三季 LPDDR4X 漲幅為近十年單季最大。
台股新聞
華邦電 (2344-TW) 今 (6) 日召開法說會,總經理陳沛銘表示,不論是 DRAM 或 Flash 產品後市皆看好,其中,DDR4 客戶需求強勁,預期價格將一路漲到明年,Flash 當中的 SLC NAND 也因供給緊張,將推動價格上漲,對公司營運看法樂觀。
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記憶體模組廠十銓 (4967-TW) 今 (25) 日宣布,旗下電競品牌 T-FORCE 與創作者品牌 T-CREATE 正式推出 256GB(4×64GB)的超大容量 DDR5 記憶體套裝, 預計將在 9 月初上市。十銓指出,新規格產品通過超微 (AMD-US) X870 平台相容性測試,並與多家主機板大廠合作,為追求速度與容量兼備的使用者,提供穩定且高效的記憶體升級解決方案。
台股新聞
宇瞻 (8271-TW) 今 (25) 日召開法說會,執行長張家騉指出,DDR4 自今年 5 月起出現供需失衡,7 月底缺貨情形達最高峰,推升價格明顯走揚,預期 DDR4 需求往下可能需要等到明年,並且仍會有部分客戶持續停留在 DDR4。執行長張家騉表示,隨著三大原廠陸續宣布 DDR4 邁入 EOL(End of Life) 階段,DDR4 產能減少,因此供給改由南亞科 (2408-TW)、華邦電 (2344-TW) 與鈺創 (5371-TW) 等台灣廠商接手,宇瞻也在 7 月導入南亞科全系列 DDR4,尤其南亞科在 8Gb 以下的產品布局完善。
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記憶體模組廠宇瞻 (8271-TW) 今 (25) 日召開法說會,執行長張家騉指出,隨著 DDR4 及部分 DDR5 價格上漲,公司也自第三季起反映給客戶,有助毛利率自 7 月起開始改善,加上 NAND Flash 出貨量穩定增加,將帶動整體獲利表現。
台股新聞
記憶體模組廠宇瞻 (8271-TW) 今 (24) 日公佈第二季財報,受惠客戶上半年積極備貨,以及整體記憶體價格上漲,單季稅後純益達 1.31 億元,季增 40.86%,年增 46.97%,每股稅後純益 1.02 元,雙雙攀上一年半來新高。宇瞻第二季營收 27.12 億元,季增 32.36%,年增 43.95%,毛利率 15.4%,季減 1.08 個百分點,年減 3.77 個百分點,營益率 4.85%,季增 0.31 個百分點,年減 0.27 個百分點,稅後純益 1.31 億元,季增 40.86%,年增 46.97%,每股稅後純益 1.02 元。
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晶圓代工廠力積電 (6770-TW) 今 (22) 日召開法說會,展望後市,總經理朱憲國指出,下半年以記憶體、邏輯產品來看,記憶體表現會優於邏輯產品,其中,DRAM 受惠一線廠商退出 DDR4,客戶積極備貨,目前投片已近滿載,SLC Flash 也經歷數季沉澱,客戶重新開始拉貨,為下半年營運增添動能。
今年以來,中國記憶體晶片產業接連傳來重磅消息,被稱為「國產記憶體晶片之光」的長鑫儲存近日啟動上市輔導,而在不久前,另一家中國記憶體獨角獸企業大普微也遞交招股書,正式衝刺創業板 IPO。大普微這次 IPO 採用的是創業板剛啟用不久、針對虧損企業的第三套標準,能否順利上市成為市場關注的焦點。
台股新聞
研調機構 TrendForce 今 (7) 日指出,三大 DRAM 原廠將產能轉向高階產品,並陸續宣布 PC、server 用 DDR4 和 Mobile 用 LPDDR4X 進入產品生命週期末期 (EOL),引發市場對舊世代產品積極備貨,加上傳統旺季備貨動能,推升第三季一般型 DRAM(conventional DRAM) 價格季增 10% 至 15%,若加計 HBM,整體 DRAM 漲幅將季增 15% 至 20%。
台股盤中
截至台北時間24日09:42,櫃買市場加權指數上漲4.52點(或2%),暫報230.86點。歷史漲跌幅近 1 週:-2.1%近 1 月:-1.07%近 3 月:-10.85%近 6 月:-10.95%今年以來:-11.53%焦點個股DRAM概念領漲+4.32%。
台股新聞
三大記憶體原廠與中國長鑫自陸續宣布停產 DDR4 後,引發市場搶貨潮,隨著恐慌情緒不斷蔓延,本周 DDR4 價格持續上漲,進一步拉大與 DDR5 的差距,以同樣 16Gb 的產品來看, DDR4 16Gb (1GX16) 與 DDR5 16G (2Gx8) 價差已達 1 倍。
台股新聞
2025 年第 2 季,全球三大 DRAM 原廠三星、SK 海力士、美光相繼宣布減產 DDR4 並積極轉產 DDR5 及 HBM,以提升產品組合毛利率,隨長鑫存儲亦於 5 月跟進 DDR4 產能收斂,短期市場 DDR4 供應迅速緊縮,合約與現貨價格同步走揚,回顧歷史,原廠減產一向為記憶體產業週期落底反轉前兆,預期本輪減產效應將驅動 3Q25 起價格進一步向上,模組廠庫存水位低且具通路優勢者將優先受惠。
台股新聞
記憶體模組大廠威剛 (3260-TW) 今 (20) 日表示,受惠 DDR4 需求爆棚,訂單應接不暇,客戶願意下大單排隊等出貨,全球產能擠爆,預計月營運表現將呈跳躍式發展,挑戰歷史新高表現。威剛董事長陳立白表示,公司在 DRAM 及 NAND Flash 供貨無虞的狀態下,業務接單持續長紅。
歐亞股
SK 海力士執行長郭魯正最新示警,全球貿易緊張局勢加劇恐讓下半年市場更加波動,即使該半導體巨頭仍維持與其內部預測一致的穩健表現。郭魯正周二 (10 日) 在公司員工大會上發表談話時表示,未來存在不確定性,並提到美國等國擴大關稅政策對半導體產業的潛在影響。
台股新聞
記憶體模組廠十銓 (4967-TW) 今 (9) 日公告 5 月營收 12.02 億元,月增 6.6%,年減 54.42%,累計前 5 月營收 76.8 億元,年增 0.07%;十銓受惠客戶近期穩健備貨,以及部分急單,5 月營收較前月小幅成長,並看好下半年 DRAM 價格走勢,預期第三季價格續揚。