韓半導體展SEDEX開展前夕 三星公佈提升AI基設性能的新一代記憶體戰略
鉅亨網編譯陳韋廷 綜合報導
- 1.SEDEX 2026明起江南COEX登場3天,三星、SK海力士等300家公司參展、設888展位
- 2.三星在OCP峰會推AI基礎設施記憶體策略,聚焦高效能記憶體、CXL擴充與新SSD方案
- 3.SK海力士發布HBM4E、HBF與H-TPU,稱可降SSD功耗與晶片面積並擬用於eSSD控制器
南韓半導體產業協會週二(13日)宣布,將於明(14)日起在江南COEX會展中心舉辦為期三天的2026年韓國半導體展覽會(SEDEX 2026),包括三星電子和SK海力士在內300家公司將參展,共設立888個展位。

三星將展示適用於雲端運算、邊緣運算和物理AI領域的下一代記憶體結構和產品,這些產品包括HBM、行動影像感測器、行動處理器、用於汽車的高可靠性半導體、半導體代工解決方案和3D記憶體結構。
這家南韓晶片巨頭周一(12日)也在美國OCP全球峰會(OCP Global Summit)宣布了旨在提升AI基礎設施效能的下一代記憶體與記憶體技術策略。
三星概述了旨在提升AI設施效能的三大關鍵技術方向:高效能記憶體、基於Compute Express Link (CXL)儲存擴充技術,以及利用新一代固態硬碟 (SSD)的資料儲存與管理解決方案。
三星副總裁兼應用工程團隊負責人Shim Ho-jun也在峰會上發表相關演講。Shim表示,隨著AI模型規模的擴大以及推理所需數據量和鍵值(KV)緩存需求的增加,在提升AI系統性能方面,除記憶體頻寬之外,記憶體容量擴展與數據存儲技術也變得愈發重要。
他還說,三星正致力於從開發初期階段起,就與全球客戶及合作夥伴加強協同設計與技術驗證,以改善整個AI系統。
三星還將在本次活動上與超微共同展示一個基於CXL的記憶體擴充解決方案,以應對現有系統在記憶體容量方面的限制。
SK海力士也將發布下一代記憶體技術,包括第七代HBM(HBM4E)和高頻寬快閃記憶體(HBF)。
SK海力士公佈了自主研發的用於SSD的緊湊型處理器 (H-TPU)的具體結構和性能,它將通用CPU處理的重複性任務分配給大約100個H-TPU,從而降低了功耗和晶片面積。
公司表示:「目前,SSD控制器內部的通用CPU在功耗和麵積方面都已達到極限。而SK海力士開發了H-TPU,可以高效率地處理常見的輸入/輸出(I/O)傳輸路徑。」SK海力士計畫將H-TPU技術應用於包括下一代企業級固態硬碟(eSSD)控制器在內圖的各種裝置。
延伸閱讀
- 韓股暴跌逾6%!長鑫DRAM技術突破、博通示警「AI賭場論」掀半導體賣壓
- 馬斯克談中國記憶體:追趕很快 量產能力不容小覷
- 美光庫藏股加碼!睽違兩年解禁 分析師:比同業更大方回饋股東 未來不排除擴大
- 記憶體還在大賺、股市已怕盛宴散場!美光失守千美元
- 講座
- 公告
上一篇
下一篇