總投資349億人民幣！長鑫科技擬進一步動用超募資金擴大研發及測試兩大新專案

上市不滿兩月的中國長鑫科技正打算進一步動用超募資金擴大研發及商業化投入，專案總投資金額達349億元(人民幣，下同)。

根據長鑫科技周一(28日)公告，擬使用180億元超募資金投資建設兩個新項目，其中130億元用於新建技術研發項目，50億元通過向全資子公司增資和提供借款的方式，用於建設存儲器晶圓後道測試基地二期項目。上述議案已於周一經公司第二屆董事會第六次會議審議通過，尚需提交股東會審議。

公告顯示，長鑫科技此次IPO最終募集資金淨額為663.10億元，其中超募資金為368.10億元。截至目前，公司尚未使用超募資金。本次擬使用180億元，佔超募資金規模的近一半，其中技術研發專案計畫總投資241億元，建設週期30個月，實施地點位於安徽省合肥經濟技術開發區新橋科技創新示範區長鑫12吋記憶體晶圓製造基地內。

此外，長鑫擬使用超募資金130億元，主要用於設備購置，設備購置費在專案總投資的佔比達92.94%。

長鑫科技表示，該專案主要用於技術研發，透過持續推進產品和製程流程迭代，提升儲存密度、功耗控制以及讀寫效能，並加速新產品推出。

另一個項目則直接指向記憶體晶片的後道測試環節。公告顯示，長鑫科技擬投資建設「長鑫存儲產品（合肥）有限公司存儲器晶圓後道測試基地二期項目」，項目總投資108億元，建設週期37個月，打算建設一座測試工廠，為DRAM晶片提供測試以及模組組裝。

對於建造後道測試基地，長鑫科技在公告中表示，隨著公司產能持續提升、產品種類增加，未來可能面臨外部封測廠測試產能不足，以及新增投資配套不足的問題。透過自建後道測試和模組項目，該公司可更靈活地協調測試產能，降低DRAM晶片測試成本，並進一步完善IDM模式。

從資金投向來看，此次180億元超募資金並非單純擴充晶圓製造產能，而是同時加碼技術研發和後道測試兩個環節。一方面，長鑫科技希望透過研發投入推動DRAM產品和製程持續迭代；另一方面，透過補充後道測試能力，進一步強化從前道製造到後道測試的產業鏈整合。

在技​​術儲備方面，長鑫科技公告指出，截至今年上半年，該公司在中國國內擁有4484項專利及3400項境外專利，研發人員7491人，佔員工總數超過33%。該公司目前已實現第五代製程技術平台量產，並涵蓋DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6等產品。

不過，長鑫科技也提示相關風險，包括政策和專案審批變化、市場環境變化、專案建設進度不如預期以及研發技術難題等。對於後道測試基地二期，公司提示新增產能若無法一如預期實現滿產，人力成本、設備折舊和廠房運維費用均可能對階段性財務表現形成壓力。

此次180億元超募資金投入完成後，長鑫科技仍將保留約188億元超募資金。依照公告，該公司將在相關審批程序完成後開立募集資金專用帳戶，並根據專案實施進度逐步投入資金。