AI資料中心改寫GaN版圖 英諾賽科稱王、英飛凌衝上第二

市場研究機構Yole Group發布年度報告《Power GaN 2026》指出，2025年全球功率氮化鎵（GaN）市場競爭版圖明顯洗牌。

中國GaN大廠英諾賽科（Innoscience）以31%市占率穩居全球第一，英飛凌（Infineon）則從前一年的第五名躍升至第二，市占率增至16%，反映GaN應用正由消費性快充加速轉向AI資料中心、汽車及再生能源等高價值市場。

根據Yole報告，英諾賽科2025年以31%市占率位居功率GaN市場首位，較2024年的30%再增加1個百分點，並持續將業務版圖延伸至汽車與資料中心領域。

英飛凌則以16%市占率升至第二，主要受惠於資料中心及再生能源專案取得進展；Power Integrations以14%排名第三。

相較之下，2024年市場排名依序為英諾賽科、納微半導體（Navitas）、Power Integrations、EPC及英飛凌，市占率分別為30%、17%、15.2%、13.5%及11.2%。這也意味著英飛凌在一年內市占率增加4.8個百分點，排名從第五躍升至第二，成為競爭格局變化最明顯的業者。

Yole此次僅公布2025年前三大業者的市占率。相關分析顯示，納微半導體跌出前三，與其逐步將策略重心從傳統消費性電子快充，轉向AI資料中心、汽車及能源等高價值應用有關。

AI基建開啟第二成長曲線

Yole指出，功率GaN過去數年主要在消費級快充充電器完成技術驗證，如今正進入更廣泛的應用週期，AI資料中心、電動車、工業系統及再生能源均成為重要需求動力。

2025年全球功率GaN元件市場規模約5.88億美元，年增約63%。Yole預估，2025年至2031年市場將以約35%的年複合成長率擴張，2031年規模可望達35億美元。

消費性及行動電子仍是市場基本盤，隨著快充充電器與家電產品持續普及，2031年市場規模預估達17億美元，占整體市場近五成。不過，汽車與基礎建設的成長速度更快，其中車載充電器與48V架構相關應用年複合成長率估達57%；受AI資料中心供電需求帶動，電信與基礎建設領域年複合成長率估達45%，2031年市場規模將達7.5億美元。

技術朝高壓高功率演進

隨著AI基礎建設需求快速成長，GaN元件電壓等級正從消費性電子常見的100V及650V系統，進一步朝1200V、1500V、1700V甚至2200V發展，產業定位也由低壓、高頻快充元件，逐漸轉向高壓、高功率電源元件。

目前功率GaN市場仍以矽基氮化鎵（GaN-on-Si）為主，主要優勢包括相容200毫米晶圓、具備成本優勢，且可利用既有CMOS與矽製程基礎進行規模化生產。但隨著工作電壓提升，外延結構、缺陷控制、動態導通電阻、閘極可靠性、擊穿電壓、散熱及封裝能力，將成為業者競爭關鍵。

製造供應鏈走向分散

GaN製造版圖也日趨多元。台積電(2330-TW) 正準備逐步退出GaN代工服務，並透過技術授權將相關經驗移轉給世界先進與格芯；格芯已取得台積電650V及80V GaN技術授權，世界先進與力積電則承接部分轉出的製造需求。

三星電子(005930KS) 、DB HiTek及SK Keyfoundry也在南韓建立初期產能；英飛凌、瑞薩、安森美、意法半導體、羅姆及安世半導體等整合元件製造商，則持續自建產能並推動垂直整合。

Yole認為，台積電收縮GaN代工業務並非產業警訊，反而顯示更多晶圓代工廠快速加入，GaN生態系正逐步成熟，製造基地也比以往更加分散。