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荷蘭半導體設備巨頭艾司摩爾(ASML)宣布，計畫與英特爾(INTC-US)、台積電(2330-TW)(TSM-US)、三星電子及輝達(NVDA-US)等大客戶合作，共同研發尺寸更大的新一代光罩技術。此項合作旨在推進下一代高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)微影設備，以利製造用於AI資料中心的超大型處理器。
目前廣泛應用的標準極紫外光(EUV)設備，其曝光印刷的晶片面積上限約為800平方毫米，輝達與Google等設計的頂級晶片已逼近此物理極限。雖然新一代High-NA EUV能提供更精細的製程線寬，但因為使用較小的光罩，導致其可印刷的晶片最大面積受到限制，無法直接產出與現今最大型資料中心晶片同等大小的晶片。
為了解決這項瓶頸，ASML正轉向研發尺寸更大型的光罩(如12吋光罩)。ASML技術長 Marco Pieters 對此指出，若半導體產業能成功實現這項技術升級，「該系統的生產效率(產能)預期將提升約40%」。ASML預計在2031年展示大光罩技術的試產線，並於2033年實現量產準備。
目前各晶圓代工與記憶體巨頭導入High-NA EUV的進度不一。英特爾在採用此技術上進展最快，於2024年在美國奧勒岡州裝設全球首部商用High-NA EUV系統；今年7月，英特爾晶圓代工進一步利用該技術製造部分基於Intel 18A製程的Panther Lake處理器並開始出貨。截至目前，英特爾已累計處理超過100萬片300毫米晶圓。
相較之下，台積電則規劃自2030年起，在先進製程的量產中導入High-NA技術。
記憶體方面，三星電子目標在2028年前將High-NA EUV引進DRAM記憶體晶片的量產；而SK海力士(SKHY-US)也正評估參與這項大光罩計畫，同樣設定以2028年作為在DRAM量產中導入High-NA EUV的時程目標。
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