Kioxia、Sandisk擴大NAND布局：Fab2已量產第10代3D Flash，Fab3最快2028年4月起進入投產時程

2026年09月04日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 鎧俠Kioxia Holdings(285A-JP)與Sandisk(SNDK-US)持續擴大日本NAND Flash產能，兩家公司7月3日宣布，岩手縣北上工廠Fab2(K2)已開始生產第10代3D Flash記憶體，並將逐步擴大量產；下一階段Fab3也已啟動土地整備等前期工程，目標於2029會計年度、即2028年4月至2029年3月間開始營運。

Fab2於2025年9月啟用，原先生產第8代3D Flash，目前進一步導入第10代產品。兩個世代均採用CBA(CMOS directly Bonded to Array)技術，訴求高效能、高容量與低功耗，Fab2也導入AI提升生產效率及節能製造設備。

Kioxia與Sandisk近期並將合資合作架構延長至2034年12月，持續投資Fab2，以支應多年期NAND bit growth需求。Kioxia最新法說會指出，2026年NAND市場bit需求預估成長雙位數後段（15%至19%），2027年則預期持續供不應求；公司並計畫FY2026至FY2028平均每年投入4,700億日圓資本支出。

更長期擴產則延伸至Fab3，新廠將建於Fab2南側，鎖定先進BiCS FLASH產能，預計最快可自2028年4月啟動。Kioxia將Agentic AI、實體AI及On-device AI列為中長期Flash需求成長動能。不過，Fab3詳細設備投資與建設時程仍將視市場需求而定，且投資計畫取決於政府支持，後續設備訂單釋出時間仍待觀察。

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