AI記憶體新戰場！SK海力士、SanDisk押注HBF HBM與SSD迎新架構

2026年「未來記憶體與儲存大會」（FMS 2026）近日落幕，從SK海力士(000660KS) 、SanDisk (SNDKV-US) 、鎧俠（Kioxia）、邁威爾科技(MRVL-US) 、微晶片科技(MCHP-US) 、美光科技(MU-US) 到瑞薩電子（Renesas），記憶體與儲存產業主要業者幾乎悉數亮相。各家展示的技術雖各有不同，背後卻指向同一個核心問題：當AI模型持續擴張、算力需求快速攀升，傳統記憶體與儲存架構已逐漸難以滿足資料搬移與容量需求。

分析指出，這場大會最值得關注的訊號，並非單一產品刷新多少速度或密度，而是HBM與SSD之間的架構邊界正在被重新定義。

從高頻寬快閃記憶體（HBF）、高密度QLC NAND，到KV 快取池化與PCIe 6.0儲存，各項技術都在試圖填補AI運算與資料存取之間日益擴大的落差。

其中，SK海力士與SanDisk共同推動的HBF標準，更可能成為這場架構變革的重要起點。

FMS 2026五大技術亮點：

SK海力士、SanDisk推HBF，試圖填補HBM與SSD之間的空缺

AI伺服器目前面臨一項愈來愈明顯的矛盾：HBM具備極高頻寬，但成本與容量存在限制；SSD容量大、成本相對低，卻難以提供HBM等級的資料傳輸速度。

SK海力士與SanDisk選擇從兩者之間尋找新的解決方案。兩家公司透過開放運算專案（OCP）發布全球首個高頻寬快閃記憶體（HBF）標準規範，試圖利用NAND Flash的容量優勢，同時大幅提升資料傳輸能力。

依據該規範，HBF最高容量可達512GB，採用8層或16層NAND堆疊設計；頻寬則分為不同等級，約涵蓋每秒0.4TB至3.0TB。與處理器之間的連接則採用UCIe高速互連介面，使HBF有機會直接連接GPU或CPU。

更值得注意的是，Google(GOOGL-US) 與Tenstorrent也已加入相關陣營。這代表HBF並非單純由記憶體廠商推動的新產品概念，而是開始獲得雲端業者與晶片設計公司的關注。

若這項規範持續獲得產業支持，HBM與SSD之間可能不再只是單純的速度與成本二選一，而會逐漸形成更細緻的記憶體階層。

鎧俠、SanDisk強攻QLC，密度突破每平方毫米37Gb

除了建立新的記憶體層級，NAND Flash本身的成本與容量競爭也仍在持續。

鎧俠與SanDisk公布第10代3D QLC Flash技術，宣稱相較第8代產品，位元密度最高提升60%，突破每平方毫米37Gb，並將其定位為QLC位元密度的新基準。

此次技術升級採用332層堆疊架構，同時重新設計晶片布局，並結合「CMOS直接鍵合到陣列」（CBA）技術，將CMOS邏輯電路與記憶體陣列分別製作後再進行晶圓鍵合。

兩家公司表示，新架構也讓QLC NAND首次達到4.8Gb/s的介面速度，並支援Toggle DDR 6.0與獨立命令地址（SCA）協定。此外，透過「電源隔離低抽頭終端」（PI-LTT）方案，也進一步改善I/O資料輸出的功耗效率。

對AI與雲端資料中心而言，儲存設備的競爭並不只是速度，更涉及每單位容量的成本與能源效率。因此，提高單一晶片能夠提供的儲存容量，仍是降低整體基礎設施成本的重要方向。

邁威爾科技從KV 快取下手，重新思考資料該放在哪裡

AI推理工作負載快速成長後，KV 快取逐漸成為記憶體容量的重要負擔。大型模型在處理長上下文時，需要保存大量注意力機制相關資料，使原本就有限的高頻寬記憶體資源承受更大壓力。

邁威爾科技此次提出的方案，並非單純追求單一儲存元件的效能，而是從伺服器、機架到整個叢集三個層級重新配置KV 快取。

在伺服器端，邁威爾科技推出Bravera SC6 PCIe 6.0 SSD控制器，效能為前代PCIe 5.0 Bravera SC5的兩倍，目標是將更多KV 快取移往SSD，釋放HBM等高價值記憶體資源。

在機架層級，Structera X則利用CXL建立記憶體池，讓多台伺服器能夠共享記憶體資源，降低單一伺服器記憶體不足造成的限制。

至於更大規模的叢集，邁威爾科技利用光子結構、網路卡與晶粒建立光互連共享記憶體層，可在50公尺範圍內連接加速器機架，最高支援32TB「熱」KV 快取。公司表示，在不增加資料中心空間與功耗的情況下，Token吞吐量可提升2至3倍。

分析指出，這套架構的重點，在於將「資料距離運算單元有多遠」本身視為可以重新設計的系統參數。

微晶片科技、美光跑通PCIe 6.0端到端儲存架構

PCIe 6.0也成為本屆FMS的重要技術焦點之一。

微晶片科技與美光共同展示PCIe 6.0端到端儲存架構，將微晶片科技Switchtec PCIe 6.0扇出交換晶片與美光9650 NVMe SSD結合。

PCIe 6.0每通道資料傳輸速率達64GT/s，是PCIe 5.0的兩倍。微晶片科技表示，要真正發揮PCIe 6.0 SSD的效能，從處理器到交換器再到儲存裝置的完整鏈路都必須同步升級。

Switchtec PCIe 6.0交換晶片採3奈米製程，支援錯誤隔離、診斷與多播等功能，並加入硬體信任根與安全啟動機制，同時支援符合CNSA 2.0的後量子密碼技術。

美光方面則將9650定位為量產型PCIe 6.0 SSD。雙方強調，這套架構有助於推動可組合、解耦式資料中心設計，讓運算與儲存資源可以分開擴充。

瑞薩MRDIMM速度達16000MT/s，延續DDR5平台

在伺服器主記憶體方面，瑞薩電子推出第三代DDR5多路複用等級雙列直插記憶體模組（MRDIMM）晶片組，最高伺服器資料速率達16000MT/s，較第二代產品提升25%。

這套方案由第三代多路複用寄存時鐘驅動器RRG5013與多路複用資料緩衝器RRG5103構成，並搭配電源管理晶片、SPD Hub與溫度感測器。

其中一項重要特點，是新方案仍建立在既有DDR5基礎設施與標準DIMM實體尺寸上。對伺服器業者而言，這代表提升記憶體頻寬不一定需要重新設計整個平台，有望降低導入新技術的門檻。

FMS 2026真正的主題：AI正在重新定義「記憶體階層」

從HBF到QLC、KV 快取、PCIe 6.0與MRDIMM，這些技術表面上分屬不同市場，但背後其實都在處理同一個問題：AI運算速度已經快到傳統記憶體與儲存架構開始成為瓶頸。

其中最值得關注的仍是HBF。

過去的AI資料中心架構相對容易理解：上層是速度快、成本高的記憶體，下層則是容量大、成本低但速度較慢的儲存。如今，AI模型規模與上下文長度持續增加，單靠這兩個層級已難以有效處理所有工作負載。

HBF所代表的方向，就是在HBM與SSD之間建立新的資料存取層。

但新的層級也意味著新的複雜度。資料究竟應該放在HBM、HBF還是SSD？什麼時候搬移？如何管理不同層級之間的資料？這些都將成為系統設計的新課題。

因此，FMS 2026帶來的最大變化或許不是某項單一規格突破，而是產業開始正面承認：AI時代的記憶體問題，已經不是單純「把某一種記憶體做得更快」就能解決，而是必須重新設計整個資料儲存與搬移的階層。

當HBM、HBF、CXL記憶體、PCIe SSD與NAND開始共同構成新的資料路徑，未來AI伺服器的競爭，也將從單一晶片效能，進一步延伸到誰能更有效率地管理整個記憶體與儲存體系。