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儲存晶片漲價潮正在逼近「天花板」。伯恩斯坦最新 7 月儲存價格追蹤報告顯示，2026 年第 3 季 DRAM 與 NAND 合約價格漲幅雖仍維持雙位數，但成長速度已較第 2 季明顯放緩，市場開始面臨高價格對終端需求的反噬。伯恩斯坦指出，儲存供應緊張可能延續至 2027 年，但價格進一步上漲的空間正在受到需求疲軟與長期供應協議 (LTA) 價格上限的雙重限制。
儲存股 8 日普遍承壓，SK 海力士、Western Digital (WDC-US) 股價一度跌近 6%，SanDisk (SNDK-US) 跌逾 4%，Micron Technology (MU-US) 則跌近 3%，反映市場開始重新評估儲存價格持續飆升對業者獲利與估值的邊際效應。
根據伯恩斯坦 7 月儲存價格追蹤數據，傳統 DRAM 第 3 季合約價格目前估計較第 2 季上漲約 17%，略高於伯恩斯坦自身模型預測，但可能低於市場近期部分更樂觀的預期。NAND 方面，若將 SSD 納入計算，整體合約價格第 3 季漲幅接近 20%，大致符合伯恩斯坦模型，但同樣可能不及市場最樂觀估計。
伯恩斯坦分析師 Mark Li 指出，儲存晶片正逐漸成為 AI 與非 AI 應用的成本負擔。隨著 DRAM 與 NAND 價格快速攀升，部分客戶開始面臨成本轉嫁與採購調整壓力，而部分長期供應協議已設定價格上限，限制供應商將價格進一步推高的能力。
從 DRAM 市場來看，伺服器需求仍是目前最強勁的支撐。客戶普遍預期 2027 年供應情況將進一步吃緊，因此積極提前備貨。TrendForce 資料顯示，7 月伺服器 DRAM 合約價格較前月上漲約 8% 至 15%，預估第 3 季整體合約價格較第 2 季上漲約 13% 至 18%。不過，市場已出現明顯的客戶分化，對於已簽訂包含價格上限 LTA 的客戶而言，7 月價格已逐漸逼近協議天花板，與沒有 LTA 約束的客戶相比，報價差距正在擴大。
PC 市場的情況則明顯轉弱。TrendForce 預估，PC DRAM 合約價格 7 月較前月上漲約 13% 至 16%，第 3 季較第 2 季約上漲 17%。然而，記憶體成本快速增加已迫使 PC OEM 廠商調高整機售價，進而壓抑消費需求，PC 出貨量預估第 3 季將季減逾 10%，客戶採購意願也因此明顯降低。
手機市場同樣開始出現價格阻力。TrendForce 預估，手機 DRAM 第 3 季合約價格漲幅約 10%，較第 2 季明顯收斂。隨著手機 OEM 廠商下調智慧手機生產計畫，客戶對進一步漲價的接受程度正在下降，預期第 4 季手機 DRAM 價格漲幅將進一步收窄至個位數。
消費性 DRAM 目前仍是表現相對強勢的產品類別之一。7 月合約價格較前一季上漲約 12% 至 16%，第 3 季季增幅度預估達 24% 至 30%。不過，TrendForce 觀察到，現貨價格開始落後於合約價格，通常代表下游即期需求的追價意願正在下降，也可能意味著消費性 DRAM 需求已逐漸接近高峰。
NAND 市場的分化程度則更為明顯。NAND 晶圓合約價格 7 月基本持平，模組廠商受到消費電子需求疲軟影響，對進一步漲價的接受程度下降，導致市場交易量大幅萎縮。TrendForce 指出，在終端需求仍偏弱的情況下，模組廠商認為目前 NAND 晶圓價格已經偏高，因此更傾向先消化手中的庫存，而不是接受更高價格。
手機 NAND，包括 eMMC 與 UFS，表現則相對穩健。TrendForce 預估第 3 季價格較第 2 季上漲約 20%，主要反映產品價格追趕企業級 SSD(eSSD) 獲利水準的補漲需求。在這一輪價格調整中，中國供應商因報價相對低廉而取得更多出貨份額，顯示中國業者的價格競爭力正在提高。
SSD 則成為 NAND 市場目前最重要的價格支撐。伯恩斯坦估計，客戶端與企業級 SSD 第 3 季合約價格較第 2 季上漲約 20%，帶動整體 NAND 價格漲幅接近 20%。不過，伯恩斯坦認為，NAND 漲勢同樣正在逐步放緩，價格高峰可能出現在 2027 年的某個時間點，且中國供應商競爭力持續提高，將對長期價格形成結構性壓力。
近期產業數據也顯示，供應緊張並不代表價格可以無限制上漲。台灣記憶體模組廠商威剛相關產業資訊顯示，AI 伺服器需求持續擠壓一般 DRAM 與消費型 NAND 的產能配置；同時，記憶體供應商持續將產能優先配置至高頻寬記憶體 (HBM) 及伺服器產品，使一般市場可取得的供應受到壓縮。
威剛方面近期產業展望也指出，2027 年主要 DRAM 製造商提供給獨立模組廠的晶片供應量可能大幅下降，甚至可能僅約為 2026 年的 30%，原因在於 HBM 與伺服器記憶體持續消耗製造產能。這代表即使價格漲幅開始放緩，供應緊張本身仍可能持續至 2027 年。
這也使市場目前面臨一個關鍵矛盾：供應面依舊緊張，但需求端已開始對高價格產生抵抗。AI 資料中心仍然需要大量 DRAM 與企業級 SSD，支撐儲存產業維持高景氣；但 PC、智慧手機與消費電子市場卻已開始受到記憶體成本上升影響，終端產品價格上調與出貨下滑可能進一步削弱下游採購需求。
近期 TrendForce 公布的價格資料亦顯示，DRAM 現貨市場仍維持高檔，例如 7 月底 DDR5 16Gb 顆粒平均價格約為 50.93 美元，DDR4 16Gb 平均價格則約為 85 美元，市場價格依然處於高位。
伯恩斯坦目前維持 Samsung Electronics、SK 海力士、Micron Technology 與 SanDisk「跑贏大市」評級，目標價分別為韓元 44 萬、韓元 330 萬、1300 美元與 3000 美元；對 KIOXIA 則維持「跑輸大盤」評級，目標價為 4 萬日圓。
整體而言，伯恩斯坦並未認為儲存產業即將進入供過於求的崩跌階段。相反地，AI 基礎建設需求、HBM 產能排擠效應及伺服器記憶體需求仍將使供應維持緊繃，價格也有望維持在高位。近期業界甚至有看法認為記憶體短缺可能延續至 2028 年，顯示供應問題短期內仍難完全解除。
然而，價格持續上漲的速度可能已經開始接近極限。一方面，PC 與手機客戶的庫存正在趨於穩定甚至增加，面對持續漲價，OEM 廠商開始削減生產與出貨計畫；另一方面，伺服器客戶簽訂的 LTA 價格上限，也正在限制部分 DRAM 產品的漲價空間。更重要的是，儲存成本快速增加已經開始成為 AI 與非 AI 應用的成本負擔，當價格超過終端客戶可以接受的範圍，供應商的議價能力也將逐步受到需求破壞。
因此，伯恩斯坦認為近期儲存股的回調，反而可能創造短線技術性反彈的交易窗口，但投資人不宜將股價回落視為下一輪無限漲價週期的起點。隨著第 3 季漲幅開始收斂，市場真正需要關注的已經不是「儲存價格還能漲多少」，而是「高價格何時開始壓縮需求」。
在供應短缺延續至 2027 年的背景下，儲存價格維持高檔仍具有基本面支撐，但伯恩斯坦的最新判斷顯示，價格上行空間已明顯縮小。換言之，這一輪儲存漲價潮或許尚未結束，但市場可能已經逐漸看見它的「天花板」。
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