鉅亨網編譯陳韋廷
針對外媒週二 (21 日) 稱將收購英特爾位於俄亥俄州龐大半導體園區的傳聞，SK 海力士今 (22) 日發布聲明明確否認，英特爾亦同步澄清目前沒有出售晶片廠的計畫。
外媒在報導指出，這筆交易若成立，SK 海力士五年內在當地生產記憶體晶片，既能滿足美國政府對半導體本土生產的要求，也能為資金緊絀的英特爾代工業務提供財務紓困。
英特爾俄亥俄園區在 2022 年動工，占地約 405 萬平方公尺、可容納八座工廠，原估總投資千億美元，但因《晶片法案》補貼審議暫緩及代工持續虧損，投產已延至 2030 至 2031 年。
儘管收購傳聞遭否認，美國施壓三星電子與 SK 海力士赴美投資的背景不容忽視。
SK 海力士日前在美發行 ADR 籌資 265 億美元，用於在韓擴產與購置 EUV 設備，而美國商務部長盧特尼克數日後則透露已跟 SK 海力士、三星談判，敦促二者在美國新建工廠，甚至威脅若不投資恐課高達 100% 關稅。
白宮政治壓力下，SK 海力士已宣布在印第安納州投資約 38.7 億美元建 HBM 封測廠，目標 2028 年投產。
南韓業界認為，美國商務部長親自施壓以及 SK 海力士那斯達克上市，是精心策劃的施壓策略。
不過，南韓 800 兆韓元半導體擴張計畫也遇阻，因居民強烈抵制新建核電廠與水壩等基礎建設，使得南韓企業在美國的投資布局成了不得不然的選擇。
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