SK海力士擬登陸那斯達克發行ADR 市場檢驗「韓國折價」能否靠赴美IPO破解

南韓半導體巨頭 SK 海力士已提交美國 IPO 申請，擬透過發行美國存托憑證 (ADR) 於那斯達克交易所掛牌，預計 7 月 10 日啟動發行、7 月 29 日正式上市，籌資規模上看 45.45 兆韓元 (約 290 億美元)，將刷新史上最大 ADR 發行紀錄。

作為輝達 HBM 核心供應商，SK 海力士此舉被市場視為複製台積電 ADR 路徑，試圖藉由打入美股主流資金池，消除長期困擾韓企的「韓國折價」問題，拉近與美國同業美光科技的估值差距。

SK 海力士目前掌握全球 HBM 逾五成市佔率，今年 Q1 營收年增 198％、營業利益率達 71%，基本面上明顯優於多數同業。

然而，SK 海力士在首爾交易的預期本益比僅約 3 至 4 倍 (部分機構估算遠期本益比約 7.5-8 倍)，大幅低於美光的 9 倍以上及美 SanDisk 的近 20 倍。

分析人士指出，南韓企業因地緣政治敏感度、交叉持股與治理透明度疑慮，長期遭國際資金給予估值折扣，這也就是所謂的「韓國折價」。

南方東英資產管理首席投資官王毅表示，SK 海力士身處 AI 資本支出關鍵瓶頸環節，供應輝達約六至七成 HBM 需求，卻承擔不合理折價，「赴美上市正是解決此問題的關鍵路徑」。

南韓 Eugene Asset Management 與 Jupiter Asset Management 皆預估，若 SK 海力士 2027 年遠期本益比追平美光，韓股潛在上漲空間約三成，ADR 溢價幅度更可達 45%，HSBC 行亦認為 ADR 定價較韓股可能享有約 20% 溢價。

赴美掛牌後，SK 海力士將納入更多美國機構法人與 ETF 被動資金投資範圍，流動性提升有助價格發現。

但業內人士提醒，SK 海力士此役亦是對「韓國折價」成色的嚴苛檢驗。若 ADR 上市後估值仍無法向美光靠攏，將暗示折價根源深植於地緣與治理結構，非單靠上市地切換可消解。

另一方面，記憶體晶片景氣循環風險從未消失。三星與美光正加速 HBM 擴產，供給缺口可望於未來數季縮小，

部分華爾街基金經理人警告，記憶體族群出現估值過熱信號並開始減碼。高盛近期報告提醒，大量估值紅利已被提前反應，任何擾動樂觀情緒的消息均恐令股價波動加劇。

南韓金融監管機構週二 (23 日) 曾公開表示後悔放行三星與 SK 海力士槓桿 ETF，當日 SK 海力士股價重挫 12.47%，創 2008 年來單日最大跌幅，亦凸顯市場情緒脆弱。

無論結果如何，SK 海力士成為首家赴美發行 ADR 的韓企，首秀成敗將牽動日後三星電子等南韓科技巨擘是否跟進，並為新興市場優質標的尋求國際公允定價提供重要範例。