鉅亨網編譯羅昀玫
《巴隆週刊》報導，AI 帶動記憶體市場狂飆之際，華爾街開始擔憂這波榮景可能比預期更早觸頂，Raymond James 分析師 Karl Ackerman 警告，DRAM 與 NAND 價格高峰可能在 2026 年年中出現，較市場普遍預期提前，拖累美光 (MU-US) 週四暴跌逾 7%。
目前市場最關注的問題，是美光、SK 海力士 (000660-KR) 與三星電子 (005930-KR) 的記憶體價格還能漲多久？
華爾街主流觀點認為，AI 伺服器需求強勁，加上高頻寬記憶體 (HBM) 供給仍吃緊，記憶體景氣循環最快也要到 2027 年中才可能出現變化，但 Ackerman 認為，市場可能過於樂觀。
他在最新報告中指出，DRAM 與 NAND 平均售價 (ASP) 將於 2026 年年中觸頂，並預估兩大產品價格最快從明年初開始，將連續兩季出現下滑。
Ackerman 解釋，價格壓力將同時來自供給與需求兩端。
供給方面，中國記憶體大廠長鑫存儲 (CXMT) 與長江存儲 (YMTC) 正加速擴產，未來可能為市場帶來更多供給。
需求方面，AI 市場對記憶體的大量採購雖然推升價格，但也讓其他終端產業開始縮減採購量。根據 Counterpoint Research 預估，今年全球智慧手機出貨量將下滑約 14%，反映高成本環境已開始影響終端需求。
記憶體短缺問題甚至已引起美國產業界關注。
週三共有九個美國產業協會聯名致函財政部長貝森特 (Scott Bessent) 與商務部長盧特尼克 (Howard Lutnick)，呼籲政府採取措施緩解記憶體供應吃緊問題。
公開信指出，AI 發展雖然有助於維持美國科技競爭力，但政府也必須避免其他關鍵產業因記憶體短缺而受到衝擊。
一般而言，記憶體價格見頂往往意味產業即將進入新一輪下行循環。不過 Ackerman 認為，這次情況未必會重演過去的大起大落。
他指出，近年記憶體大廠已逐漸採用長期供貨合約模式，有助於降低價格波動對獲利的衝擊，因此仍維持美光「優於大盤」評級。
值得注意的是，美光向來因產業循環特性而享有較低本益比，但隨著 AI 熱潮推升市場信心，其預估本益比已從今年 4 月的 4.4 倍升至目前的 11.7 倍。
Ackerman 認為，這樣的估值水準其實已反映未來一至兩年記憶體價格漲幅放緩、毛利率下滑以及供給增加等風險。
美光週四 (4 日) 股價下殺 7.74% 至每股 996 美元，失守 1000 美元大關，市值一口氣蒸發約 942.4 億美元，創下公司史上最大單日市值縮水紀錄。不過，在 AI 熱潮推動下，該股過去一年仍累計大漲超過 9 倍。
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