聯電推14奈米eHV FinFET 搶OLED驅動IC商機

聯電 (2303-TW)(UMC-US) 今 (14) 日宣布推出用於顯示驅動 IC 的 14 奈米嵌入式高壓 (eHV) FinFET 技術平台，並可提供製程設計套件(Process Design Kit, PDK) 供客戶進行設計導入。此全新製程已於聯電 12A 廠完成驗證，可提升電源效率與效能，同時縮小晶片尺寸，助力新一代顯示技術的發展。

相較於聯電目前量產中最先進的 22 奈米製程 eHV 解決方案，14 奈米 eHV FinFET 平台可降低 40% 的功耗與縮小 35% 的晶片面積，進一步延長電池續航力，並支援更小型、輕薄的驅動模組設計，以提供高階與摺疊式 OLED 智慧型手機顯示應用。

在數位電路方面，14 奈米平台以 FinFET 元件取代平面電晶體，並透過最佳化的 I/O 元件設計與更高的驅動速度，進一步提升電氣效能，確保訊號完整性，同時支援高解析度顯示應用所需的高刷新率。此外，優化後的中電壓元件具備更小的線寬間距並支援更廣泛的電壓操作範圍，為驅動電路設計提供更高的彈性。

聯電技術研發副總經理徐世杰表示，顯示應用無所不在，市場需求將持續朝向更高畫質、更快速度與更低功耗發展。聯電此次 14 奈米 eHV 平台的推出，是公司首次將 FinFET 技術導入顯示驅動領域，具有重要里程碑意義。隨著客戶產品功能不斷升級，聯電將持續以領先的製程技術，協助客戶將創新構想化為可量產的成果。

聯電長期在 OLED 顯示驅動 IC 市場中居於領先地位，目前亦為業界唯一提供最先進 22 奈米顯示驅動 IC 解決方案的晶圓代工廠。憑藉著領先的 eHV 製程技術、完整的 IP 資源與強大的設計支援能力，聯電以涵蓋 0.6 微米至 14 奈米的高壓製程技術平台，為顯示產業提供最完整的解決方案，攜手客戶共同引領顯示新世代。