美光大漲近10% HBM4晶片已進入高量產階段、向客戶出貨 

美光 (MU-US) 周三 (12 日) 收盤大漲近 10%，高層表示近期疑慮，表示 HBM4 晶片已經進入高量產階段，而且已向客戶出貨，比去年 12 月所估的時間表提早了一季。

美光財務長 Mark Murphy 表示，有關高頻寬記憶體 (HBM) 的報導不正確，他說：「我們已經進入 HBM4 的高產量生產階段，也已開始向客戶出貨 HBM4，並看到本季 (第 1 季) 出貨量順利拉升。這比我們在 12 月財報電話會議上提到的時間還早了一季。」

美光周三收盤大漲 9.9% 至每股 410.34 美元，一掃近期陰霾。

本周稍早有報導指出，競爭對手三星電子將從本月稍晚開始量產用於輝達 (NVDA-US) 下一代 Rubin GPU 的 HBM4 晶片。在此同時，來自研究機構 SemiAnalyst 的另一則報導披露，美光的 HBM4 產品不太可能加入 Rubin 上市後前 12 個月的供貨行列，因為一直無法滿足輝達對接腳速度的要求。

Murphy 強調，Micron 的 HBM4 產品傳輸效能超過每秒 11gigabytes，並表示公司「對 HBM4 的產品效能、品質與可靠性，高度有信心」。

這位財務長也指出，除了 HBM4 的進展外，美光整體業務動能同樣強勁， 他形容美光的「業務正處於非凡的成長軌道」，需求「遠高於我們目前的供應能力」。

Murphy 說：「我們仍預期供需緊張的狀況將延續至 2026 年之後。我們正盡一切努力，為客戶的長期需求做好規劃與投資。」

Lynx Equity Strategies 分析師 KC Rajkumar 表示，這次澄清應能「平息市場上有關美光 HBM4 能力的雜音」。

摩根士丹利 (Morgan Stanley) 周三重申對美光的「加碼」投資建議評等，目標價從 350 美元提高到 450 美元。

美光正準備在新加坡擴充記憶體晶片產能，重點擺在 NAND 快閃記憶體生產上，顯示該公司預期長期需求將維持強勁。