革命性！英特爾、美光發表新3D記憶晶片 速度飆1000倍

(圖:AFP)

美國晶片業巨擘英特爾 (Intel)(INTC-US) 及美光 (Micron)(MU-US) 週二 (28 日) 聯手發表突破性新型記憶體晶片 3D Xpoint，運算速度比現有 NAND 快閃記憶體最高快上 1000 倍，儲存容量也比現有 DRAM 晶片多出 10 倍，計畫明年開始販售。

《華爾街日報》報導，英特爾與美光自 2006 年起便合作研發 NAND 晶片。他們今日指出，3D Xpoint 晶片的速度雖然不如 DRAM，但較像 NAND，能夠在電源關閉後保存數據。

兩公司週二並未透露一些新晶片的細節，例如主要用料為何；但表示 3D Xpoint儲存數據的方式獨特，採用微電線組成的十字格電網聯結成的垂直電路。此外，其技術也讓儲存數據的單顆晶片能夠獨立運作，不像 NAND 就算要儲存單一位元，也得清除整組晶片的數據，因此拖累運作速度。

美光執行長 Mark Durcan 在記者會上表示，這真的是革命性的產品。英特爾高級副總裁 Rob Crooke 也補充，這是許多人以為不可能的技術。兩公司高層皆預言，3D Xpoint 的高速表現，將催生許多新種類的硬體產品；但出席發表會的分析師則認為，硬體設計人員得花一段時間，才能決定是否及如何使用這款新晶片。