砍價搶市！三星HBM4發布前夕推舊款降價30%策略 專家：難撼DRAM行情

記憶體龍頭企業三星電子近日宣布，針對 12 層高頻寬記憶體 (HBM3E) 推出 30% 降價策略，意圖透過價格優勢爭奪市占率，此舉直接暴露三星因良率爬坡緩慢導致的競爭被動。

三星 12 層 HBM3E 直至上月才通過輝達測試並啟動供貨，今年第 4 季出貨量料將僅有數萬片，顯著落後於 SK 海力士、美光等同業競爭對手。

今年初，SK 海力士已通過良率測試並向輝達供貨，上半年更實現 16 層 HBM3E 量產，美光 6 月良率也已超過 70%，出貨量亦領先三星。

面對市佔率差距，三星 7 月便傳出向部分客戶提出降價提案，並預警 HBM3E 供應增速恐超過需求，短期市場供需及價格可能生變。

但產業焦點轉向下一代產品 HBM4，三星打算本月在科技展發布第六代 12 層 HBM4，年底量產，SK 海力士上月也已完成全球首款 HBM4 開發，量產在即。

隨著輝達推進 AI 晶片架構升級，其 Blackwell Ultra 晶片將採用 HBM4，且近期要求供應商提升 HBM4 傳輸速率至 10Gbps，SK 海力士恐藉此維持量產初期最大供應商優勢。

價格趨勢上，TrendForce 預測今年 HBM 均價將漲 20.8% 至 1.8 美元 / Gb，獲利可觀，12 層 HBM4 單價則可能達 500 美元，較約 300 美元的 HBM3E 高出 60% 以上。

不過，此輪 HBM 價格戰對 DRAM 等傳統記憶體晶片傳導有限。

根據南韓 KB 證券分析，三星今年第三季標準 DRAM 營運利潤率約 40%，HBM 達 60%，若 DRAM 漲勢持續，明年非 HBM 業務獲利有望反超 HBM，且為順應 AI 驅動的記憶體需求激增，三星、SK 海力士等第四季將上調 DRAM、NAND 價格，幅度高達 30%。

整體來說，三星 HBM3E 降價是短期搶市的戰術動作，而 HBM4 迭代與 AI 算力需求擴張，才是記憶體廠商長期競爭的核心戰場。