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高階記憶體趨勢 誰大咬機會財

先探投資週刊


AI應用遍地開花,國際大廠記憶體技術及產能競爭進入白熱化,台系記憶體廠搶搭漲價的順風車。


【文/周佳蓉】

記憶體產業在過去的景氣興衰如同一場季節性流感,圍繞著PC、智慧手機出貨與淡旺季波動起伏,影響著報價漲跌、庫存增減以及記憶體廠各自獲利表現,隨著AI模型、AI推論應用的遍地開花,資料中心建置以幾何級數的速度成長,輝達的 AI GPU 和伺服器成為了比黃金更稀缺的戰略資源,也讓記憶體這個曾經被視為標準化、周期性的電子產業,被賦予了新的意義。

HBM 與 SOCAMM 成搶手貨

當記憶體這個產業進入AI賽道之後,國際大廠間的較量不再只是過去大家熟悉的 DDR4 或 DDR5,而是 HBM(高頻寬記憶體)與 SOCAMM(System on CAMM)。

AI晶片霸主輝達(Nvidia)預計要在二六年推出的 Rubin 和 Rubin CPX 系列的AI伺服器機櫃,對記憶體的規格要求將再度提升,加上超微、其他發展 ASIC 晶片的CSP業者,已經把HBM剩餘產能到二六年之前全數包下,也導致 DRAM 市場產能持續緊縮,蔓延到舊世代 DDR4、DDR3 報價,自第三季起連袂上漲。

韓國記憶體大廠SK海力士在HBM領域發展得最早,目前是輝達 Blackwell 平台 HBM3e 的主力供應商,而進入下一代 HBM4 之後,海力士實現了超過十 Gbps 運行速度,超過了 JEDEC 標準的八 Gbps,也完成了十二層的 HBM4 晶片的量產準備,美光與三星則努力在後追趕差距。

說到HBM,其實是將八~一二層超薄 DRAM 晶片垂直堆疊,必須透過矽穿孔(TSV)技術,堆疊層數越高、良率衰減越嚴重,加上散熱難度高,當中牽涉著 3D IC 堆疊、先進封裝、Wafer-on-Wafer(WoW)製程,要擴充並非易事。台積電的 CoWoS-L 先進封裝技術,成功把HBM緊密整合進運算架構中,因此傳出被視為關鍵元件的HBM在二六年的產能已經全數售罄,由此可見,能在技術上先馳得點的廠商將持續保有競爭優勢。

海力士在 HBM4 保持領先

研究機構 Counter Point 預估,二六年即使受到同業競爭,海力士仍將有超過一半的HBM市占,海力士也自行預測,二四~二八年每年HBM業績將以五○%的速度成長。

SOCAMM 主要支援中央處理器(CPU),與垂直堆疊的HBM不同,並在優化AI工作負載方面發揮關鍵支援作用,最快可望於 Vera Rubin 平台亮相。(全文未完)

來源:《先探投資週刊》2374 期
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