〈熱門股〉漢磊推碳化矽(SiC)新平台 外資連6買周漲14.13%

化合物半導體廠漢磊 (3707-TW) 本周宣布，碳化矽 (SiC) 推出第 4 代平面型 G4 製程平台，市場關注漢磊接單有望再增利多，加上 AI 大廠輝達 (NVDA-US) 考慮將下一代 GPU 中介層材料由矽改為碳化矽，本周外資連 6 買漢磊 5,264 張，激勵股價周漲 14.13%，站上所有均線。

據了解，隨人工智慧 (AI) 晶片製程不斷演進，高功耗運算帶來散熱挑戰成為效能瓶頸，半導體供應鏈近期熱議，12 吋 SiC 基板有望被納入先進封裝考量，藉此改善散熱與結構支撐。

法人表示， AI 伺服器因其高運算負載，對矽晶圓需求為伺服器 3.8 倍，隨 AI 模型規模擴張，推升資料中心更新需求，將有效拉動高階晶圓用量，加上目前進入到第 3 季電子產業旺季，需求向上提升，有望挹注漢磊業績發展。

漢磊本周連飆 2 天漲停板，周五 (5 日) 受獲利賣壓沉重跌 3.13%，但在外資買盤力挺下，仍站在所有均線之上，周成交量也爆增至 11.8 萬張，子公司嘉晶 (3016-TW) 受惠於漢磊持股超過 5 成以上，周漲也有 13.23%。

漢磊指出，目前新的 G4 技術平台已通過客戶的完整可靠度測試，未來除了將晶片尺寸縮小與降低導通電組外，也能使客戶能夠有效率地整合元件與效能，提供更小更低能耗更高功率密度的產品，為客戶及公司創造更多利益。