〈走進中國〉半導體非典型內捲：高品質產能緊缺、低水準競爭過剩

當中國汽車、太陽能光電等行業相繼召開座談會，明確指向產業無序競爭時，作為戰略性新興產業的半導體，尚未公開傳來類似「反內捲」的呼聲。

據《財聯社》報導，表面沉默，並非意味著風平浪靜。中國國產半導體產業正面臨一種特殊「非典型內捲」。它並非傳統意義上的全面產能過剩，而是一種結構性失衡：真正技術過關的優質產能供不應求，一些低水準、同質化的無效產能卻在加劇市場競爭過剩。

中國半導體產業的擴張速度，數據可以直觀體現。

國際半導體產業協會（SEMI）的數據顯示，2024 年中國晶片製造商的產能增長 15%，達每月 885 萬片晶圓。這一增長得益於 18 座新建半導體晶圓廠投產，帶動全球同年產能擴張 6%。

同時，根據 TrendForce 的調查，受國產化浪潮影響，2025 年國內晶圓代工廠將成為成熟製程增量主力，預估 2025 年全球前十大成熟製程代工廠的產能將提升 6%，但價格走勢將受壓制。

高速產能擴張並未帶來與之匹配的有效供給增長。

「國內半導體的內捲是競爭過剩，但不是產能過剩。」芯謀研究說。

「具體來說，是低水準競爭過剩，導致不合格產能重複建設、人才內耗等，但高品質產能嚴重不足。」

高端產能方面，芯謀研究指出，技術過關的晶圓廠已處於滿負荷運轉。根據中芯國際業績會，2025 年第一季產能利用率已回升至 89.6%；華虹半導體也在「致股東的信」中表示 2024 年平均產能利用率接近滿產。

CINNO Research 研究總監劉雨實說，半導體行業內捲主要集中於技術同質化嚴重、產能擴張失衡、產業鏈協同缺失的部分，如：成熟製程晶片中低端 MCU、電源管理晶片、中低端 MOSFET、SiC 襯底等。

以 SiC 襯底為例，此前由於新能源車、太陽能光電等行業帶來的需求，行業熱度大增，大量新產線在 2022 年之後開始投建。

然而，根據 TrendForce 集邦咨詢最新研究，受 2024 年汽車和工業需求走弱，SiC 襯底出貨量成長放緩。與此同時，市場競爭加劇，產品價格大幅下跌，導致 2024 年全球 N-type（導電型）SiC 襯底產業營收年減 9%。

在此情況下，天通股份甚至在投資者平台公開表示：「由於碳化矽市場出現內捲局面，公司暫停該項目。」