〈IET-KY股東會〉今年將以磷化銦磊晶作為成長主軸 拚明年發股利

IET-KY(4971) 英特磊今 (25) 日召開股東會，董事長高永中表示，受美國關稅、戰爭影響，市場多少受到波動衝擊，公司今年將以磷化銦 (InP) 磊晶作為成長主軸，在 AI 資料中心需求增長下，產品研發將以 100G 以上的高速 VCSEL(半導體雷射) 為主，隨著 7 月新廠動工，有信心力拼明年配發股利。

IET-KY 在股東會上也通過去 (2024) 年財報，合併營收為 7.17 億元、年增 8.31%，稅後淨損 1.32 億元，EPS 為 - 3.58 元。董事會稍晚也通過盈虧分配案，擬不配發股利。

高永中表示，去虧損係因公司發行可轉換公司債 (CB)，隨之前股價上升認列有評價損失約 EPS -1.2 元，其餘因產品營收未追上設備、人力投入時程，震盪期過後當有明顯改善，今年第一季營收年增逾四成，目前營運成長動能無虞，CB 已完成股票轉換，影響財報甚微。

在產品布局上，高永中指出，今年度第一季營收以磷化銦磊晶產品占比超過五成最高，其中 PIN (PD) 應用於資料中心的 100G 光模組接收端，受惠於 AI 運算需求成長，磷化銦產品為公司未來主力，除了資料中心 PD，可應用於光模組之驅動電路的 HBT。

而投資人關注的新廠 2 期擴建時程，高永中回應，7 月動工後，預計 2026 年度完工，機台產能於未來數年陸續啟動。目前建廠資本支出有部分來自美國聯邦晶片及德州晶片法案補助，也已獲德州補助額度 412 萬美元，將隨建廠進度每季請款，聯邦補助則待主管機關查核。

展望全年，高永中表示，除了以磷化銦做為成長主軸，砷化鎵 (GaAs)pHEMT 產品需求穩定；銻化鎵 (GaSb) 紅外磊晶晶片因美國與國際國防需求擴大，目前產能已近滿載，今年下半年或明年增設新機台，可增加 3 成產能；硬體構件方面因氮化鎵 (GaN) 二次長晶需求提升，公司將進一步擴展與台灣客戶的合作模式；氮化鎵長晶業務亦持續成長。