「電子膠水」戰場白熱化!SK下單緩和跟韓美僵局 專家:技術迭代正改寫HBM TCB市場格局
鉅亨網編譯陳韋廷 綜合報導

南韓半導體業內高層人士今 (19) 日透露,SK 海力士跟韓美半導體 (Hanmi Semiconductor) 緊張關係在上周五 (16 日) 簽署設備訂單公佈後似乎出現緩和跡象。此前,SK 海力士推進 TCB 設備供應商多元化計畫,韓美半導體強烈反對並撤回派駐 SK 海力士 HBM 產線的維修工程師,引發雙方摩擦。
該位高層人士說:「SK 海力士在韓美半導體工程師復職的前提下提出訂單,韓美半導體方面也接受這一條件。因此,這實際上是一筆附帶條件訂單。」
SK 海力士此前對外公告表示,與韓美半導體以及韓華半導體技術 (Hanwha Semitech) 達成高帶式記憶體 * HBMHBM)的訂單。SK 海力士打算購買韓美半導體總額 428.12 億韓元的 HBM 生產設備 DUAL TC BONDER GRIFFIN,同時也向韓華半導體技術訂購 385 億韓元的 TCB 設備。
在 AI 浪潮推動下,HBM 正成為半導體產業的核心戰場,而南韓企業憑藉技術累積與策略佈局,在這場卡位戰中佔據先機,但產業暗流湧動的技術迭代與供應鏈重構,正為全球半導體競爭注入新的變數。
隨著輝達等巨頭對 AI 晶片的需求激增,HBM 市場呈爆炸性成長。去年 SK 海力士以 70% 市佔率穩坐 HBM 頭把交椅,股價年內漲幅突破 80%,市值逼近千億美元,但支撐這些輝煌數據的,是隱藏在晶片製造深處的關鍵技術—TCB 設備。
在 HBM 堆疊製程中,TCB 設備扮演「電子膠水」的角色。無論是 SK 海力士採用的 MR-MUF 技術,或是三星、美光使用的 TC-NCF 工藝,都需要透過 TCB 設備實現晶片間的精準鍵合。
摩根大通預測,HBM 用 TCB 市場規模將從 2024 年的 4.61 億美元激增至 2027 年的 15 億美元,三年間成長逾三倍。這場技術競賽已吸引韓美半導體、ASMPT 等六強逐鹿,其中南韓企業佔據半壁江山。
自 2017 年與 SK 海力士建立策略合作以來,韓美半導體在 HBM TCB 市場建立起技術壁壘,其設備在 SK 海力士產線的滲透率超過 70%,去年營業獲利達 2554 億韓元,年增 639%。
即便美光加入客戶行列,韓美仍佔 HBM TCB 市場 74% 的市佔率。
但變數正在醞釀中,SK 海力士開始引進韓華 SemiTech 的設備,試圖打破單一供應商格局。韓華 SemiTech 的崛起凸顯南韓半導體產業的戰略佈局。
韓華 SemiTech 獲得 SK 海力士 12 台 TCB 設備訂單。儘管其設備價格比韓美高出 30% 至 40%,但在減少人工操作方面的優勢正動搖韓美的壟斷地位。專家說:「韓華的技術雖未達顛覆性水平,但戰略卡位已引發市場警覺。」
這場技術路線之爭背後,是 HBM 層數升級帶來的製程變革。當堆疊層數從 12 層向 16 層演進,晶片薄化導致的彎曲問題迫使設備商重新設計鍵結方案。新加坡 ASMPT 在《CES》展出的 HBM3E 16 層樣品,已驗證其設備在微米級精度控制上的領先性。產業觀察人士預測,隨著 HBM4 研發啟動,新加坡廠商可能憑藉技術迭代實現彎道超車。
至於三星,這家記憶體晶片巨頭的轉向最具顛覆性。該公司正將 TCB 設備採購重心從日本新川轉向子公司 SEMES,標誌著「去外部依賴」策略進入新階段。2023 年,SEMES 半導體設備營收雖年減 18.8%,但顯示設備業務暴增 10 倍,彌補主力業務的下滑。隨著三星 HBM2E 產品線向中國客戶延伸,SEMES 可望重拾設備供應商地位。
這場供應鏈調整暗藏技術遊戲。新川設備因僅支援 4 層 HBM 工藝,已無法滿足 8 層以上堆疊需求,而 SEMES 透過自主研發,逐步掌握 12 層 HBM 鍵合技術,其設備良率較日本供應商提升 15%。SEMES 若能取代韓美半導體成為三星核心供應商,南韓半導體設備國產化率將提升至 65%。
南韓在 HBM 設備領域的強勢,正引發政策層面的連鎖反應。南韓政府近期打算限制 TCB 設備對中國出口,但此舉引發業界擔憂。
技術迭代帶來的反噬效應值得警惕。當韓美半導體推出專為 HBM4 設計的「TC Bonder 4」設備時,業界已出現分化跡象;美光選擇與韓美深度綁定,SK 轉向多元化採購,三星則依托 SEMES 構建封閉體系,這一分化恐將削弱南韓整體的產業綜效。
更嚴峻的是,日本新川、美國 K&S 等廠商正透過專利訴訟施壓,試圖打破南韓的技術壟斷。
在這場 HBM 設備競賽中,韓廠看似佔據先機,實則身處多重漩渦。從 TCB 設備的技術代差到供應鏈的國產化博弈,從新加坡廠商的技術突襲到政策限制的反噬效應,每個變數都可能改寫產業格局。
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