群聯董座潘健成稱 NAND控制晶片迎接1x奈米時代 墊高進入門檻

快閃記憶體 (NAND Flash) 控制晶片及儲存解決方案大廠群聯電子 (8299) 董事長潘健成今 (19) 日表示，「NAND Flash 控制晶片進入非常昂貴的 1x 奈米等級的晶圓製造階段、加計 3D NAND 驗證成本高於 2D，從相關控制晶片設計業者的角度來看，這產業已經高高築起了進入障礙。CFMS 2018(中國閃存市場峰會)是全球快閃記憶體產業界一年一度在大陸的盛大高峰會，於今 (19) 日在深圳正式展開，包括美光、英特爾、長江存儲、紫光存儲、西部數據、三星等各大國際快閃記憶體原廠皆參與該盛會，並同台為快閃記憶體前瞻性之技術發表看法及現況。群聯電子創辦人暨董事長潘健成在大會力邀下，今年首度出席，並以「內存 - 閃存 - 存儲 前世、今生、展望」為題向產業內人士進行演說，闡述其投身記憶體產業近 18 年來的產業觀察。

潘健成演說時表示，NAND Flash 正式進入 3D 製程發展，其相關控制晶片之晶圓製造製程則在近兩年正式進入 1x 奈米時代，因此 NAND Flash 控制晶片的設計愈加複雜、所需要運用的人力及銀彈等資源耗費遠遠高於過去，以群聯所開發出來的 SSD 控制晶片 PS5012-E12 來看，該顆晶片在研發人力、時間、設計工具、晶圓先進製程光罩費、3D NAND 驗證費… 等等資源全數換算為可被評價的費用，總計超過 1.55 億人民幣，約當 6.6 億元新台幣，相較 18 年前群聯初創業時的環境所需投入成本的多了好幾倍。

當今快閃記憶體的現況，對控制晶片設計業者而言，除了上述的軍備戰的競爭形成技術進入障礙，另一方面，NAND Flash 製造之國際原廠相繼提高自給設計的控制晶片案量，因此整體市場獨立晶片廠的控制晶片的市場規模的成長幅度是低於儲存容量需求的成長率，所以，控制晶片取得的獲利也變薄、這對剛剛要跨入快閃記憶體 IC 設計這一行業者而言，是進入門檻被墊高，簡而言之，潘健成強調，今天若只賣 IC，這生意不好做，要賺錢變得更困難。

對於群聯而言，有鑑於 5G、物聯網、車聯網，以及人工智慧等多項創新科技的資訊儲存需求只增不減，人類使用記憶體容量的提升仍會為產業帶來商機，加計群聯過去以來的商業模式不是只賣 IC，因此未來將擅用這多年來的產業經驗值、逾 1,700 件的自有 IP 專利、逾千名的研發人員、專注經營快閃記憶體應用所掌握的市場彈性、一年逾 13 億美元的營收，以及年平均出貨 6 億顆 IC 等規模經濟之 6 大實力，並加以積極尋找長期合作的策略性夥伴，共同擴大發展快閃記憶體應用市場之夥伴們擴大市場及技術發展。